IS61WV5128EDBLL-10BLI
ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)
TFBGA-36(6x8)
¥26.1112
18
静态随机存取存储器(SRAM)
存储器类型:易失,存储器格式:SRAM,技术:SRAM - 异步,存储容量:4Mb,存储器组织:512K x 8
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封装
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IS61WV5128EDBLL-10BLI
ISSI
36-TFBGA (6x8)

1+:¥26.1112

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IS61WV5128EDBLL-10BLI
ISSI(美国芯成)
TFBGA-36(6x8)

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100+:¥10.6

30+:¥12.27

10+:¥14.11

1+:¥16.7

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IS61WV5128EDBLL-10BLI
ISSI(美国芯成)
TFBGA-36(6x8)

500+:¥12.27

200+:¥14.11

1+:¥16.7

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19+/20+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 异步
存储容量 4Mb
存储器组织 512K x 8
存储器接口 并联
写周期时间 - 字,页 10ns
访问时间 10 ns
电压 - 供电 2.4V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 36-TFBGA