HN1A01FE-Y,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-666-6
¥0.3724
39
三极管(BJT)
晶体管类型:2 PNP(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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HN1A01FE-Y,LF
TOSHIBA
SOT-666

1+:¥0.3724

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HN1A01FE-Y,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-666-6

4000+:¥0.2652

2500+:¥0.2825

500+:¥0.3361

150+:¥0.3795

50+:¥0.4374

5+:¥0.5531

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东芝(TOSHIBA)
SOT-666-6

150+:¥0.5216

50+:¥0.6259

5+:¥0.9389

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 120 @ 2mA,6V
功率 - 最大值 100mW
频率 - 跃迁 80MHz
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666