GD25Q80EEIGR
GigaDevice(兆易创新)
USON-8-EP(2x3)
¥1.02
21,144
NORFLASH
存储器类型:非易失,存储器格式:闪存,技术:FLASH - NOR,存储容量:8Mb,存储器组织:1M x 8
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GD25Q80EEIGR
Gigadevice(北京兆易创新)
8-XFDFN 裸露焊盘

3000+:¥1.02

1+:¥1.08

2744

25+
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GD25Q80EEIGR
Gigadevice(兆易)
--

3000+:¥1.0608

1+:¥1.1232

2736

25+
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GD25Q80EEIGR
GigaDevice(兆易创新)
USON-8

1500+:¥1.188

750+:¥1.254

100+:¥1.408

30+:¥1.749

2744

-
3天-15天
GD25Q80EEIGR
Gigadevice(兆易创新)
USON8_2X3MM_EP

600000+:¥1.95

100+:¥2.8

50+:¥3.0

10+:¥3.5

1+:¥4.5

259

-
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GD25Q80EEIGR
GigaDevice(兆易创新)
USON8

500+:¥2.39

100+:¥2.66

20+:¥5.14

1+:¥6.21

3000

22+/23+
GD25Q80EEIGR
兆易创新(GigaDevice)
USON-8-EP(2x3)

1000+:¥3.08

100+:¥3.696

10+:¥4.312

1+:¥5.6595

259

-
GD25Q80EEIGR
GigaDevice(兆易创新)
USON-8-EP(2x3)

100+:¥3.44

30+:¥3.97

10+:¥4.5

1+:¥5.57

321

-
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GD25Q80EEIGR
GIGADEVICE
USON-8-EP(2x3)

1+:¥4.067

81

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 8Mb
存储器组织 1M x 8
存储器接口 SPI - 四 I/O
时钟频率 133 MHz
写周期时间 - 字,页 70µs,2ms
访问时间 7 ns
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-XFDFN 裸露焊盘