FZT853TA
DIODES(美台)
SOT-223
¥1.628
19,593
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):340mV @ 500mA,5A,电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
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FZT853TA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥1.48

1+:¥1.6

13915

25+
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FZT853TA
Diodes(达尔)
SOT-223

1000+:¥1.628

50+:¥1.76

30+:¥2.299

12885

-
3天-15天
FZT853TA
DIODES(美台)
SOT-223

1000+:¥1.7

500+:¥1.81

100+:¥2.01

30+:¥2.36

10+:¥2.7

1+:¥3.39

5579

-
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FZT853TA
DIODES INCORPORATED

1000+:¥1.7394

500+:¥1.794

100+:¥1.8564

1000

2448
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FZT853
DIODES(美台)
SOT-223

100+:¥4.37

30+:¥4.44

10+:¥4.51

1+:¥4.62

129

-
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FZT853TA
DIODES INCORPORATED

50+:¥1.225

1+:¥1.3426

0

-
现货最快4H发
FZT853TA
美台(DIODES)
SOT-223-4

10000+:¥1.7169

2000+:¥1.8535

1000+:¥1.951

500+:¥2.7314

100+:¥3.902

10+:¥6.0481

0

-
FZT853
美台(DIODES)
SOT-223

500+:¥3.6133

100+:¥4.1553

30+:¥5.0586

10+:¥6.1426

1+:¥7.2266

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 6 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 100 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 340mV @ 500mA,5A
电流 - 集电极截止(最大值) 10nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 2A,2V
功率 - 最大值 3 W
频率 - 跃迁 130MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA