FZT788BTA
DIODES(美台)
SOT-223
¥1.58
2,728
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):15 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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FZT788BTA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥1.58

1+:¥1.71

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2年内
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FZT788BTA
美台(DIODES)
SOT-223

10000+:¥1.738

2000+:¥1.8763

1000+:¥1.975

500+:¥2.765

100+:¥3.95

10+:¥6.4286

637

-
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DIODES(美台)
SOT-223

400+:¥1.776

200+:¥1.9296

10+:¥2.5728

1+:¥3.2448

200

-
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FZT788BTA
DIODES(美台)
SOT-223

500+:¥1.85

100+:¥2.01

30+:¥2.39

10+:¥2.68

1+:¥3.38

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Diodes(达尔)
SOT-223

50+:¥1.881

30+:¥2.453

637

-
3天-15天

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 15 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 500 @ 10mA,2V
功率 - 最大值 2 W
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA