FZT751QTA
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.739855
6,804
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 300mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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FZT751QTA
DIODES(美台)
SOT-223

5000+:¥0.7399

2000+:¥0.7812

1000+:¥0.8503

150+:¥1.0054

50+:¥1.2843

5+:¥1.8084

550

-
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FZT751QTA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥0.796

1+:¥0.862

2088

2年内
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FZT751QTA
美台(DIODES)
SOT-223

10000+:¥0.8756

2000+:¥0.9453

1000+:¥0.995

500+:¥1.393

100+:¥1.99

10+:¥3.2387

2078

-
FZT751QTA
Diodes(达尔)
SOT-223-3

1000+:¥0.8756

60+:¥0.9482

2088

-
3天-15天
FZT751QTA
DIODES(美台)
SOT-223-3

1000+:¥0.8836

50+:¥0.9568

1+:¥1.2432

2088

24+
2-4工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 300mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 3 W
频率 - 跃迁 140MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA