FZT653TC
DIODES(美台)
SOT-223
¥1.0032
23,778
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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FZT653TC
Diodes(达尔)
SOT-223-3

4000+:¥1.0032

2000+:¥1.056

1000+:¥1.1264

100+:¥1.2496

40+:¥1.5752

5335

-
3天-15天
FZT653TC
DIODES(美台)
SOT223

4000+:¥1.14

1+:¥1.2

5335

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FZT653TC
Diodes(美台)
SOT-223

4000+:¥1.1856

1+:¥1.248

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FZT653TC
美台(DIODES)
SOT-223

40000+:¥1.254

8000+:¥1.3538

4000+:¥1.425

1000+:¥1.995

100+:¥2.85

20+:¥4.6384

5335

-
FZT653TC
DIODES INCORPORATED

100+:¥1.3195

1+:¥2.3285

2000

2016
现货最快4H发

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 100 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 2 W
频率 - 跃迁 175MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA