FMMT549TA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.547
20,771
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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DIODES(美台)
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1+:¥0.588

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美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.5829

6000+:¥0.6294

3000+:¥0.6625

800+:¥0.9275

100+:¥1.325

20+:¥2.1564

6048

-
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Diodes(达尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.6017

1500+:¥0.6468

200+:¥0.7436

60+:¥0.9669

6048

-
3天-15天
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DIODES INCORPORATED

100+:¥0.6791

1+:¥0.8732

2597

2125
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SOT-23

29+:¥1.8432

10+:¥2.0736

1+:¥2.6304

29

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Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.57616

1500+:¥0.61984

200+:¥0.7124

1+:¥0.92456

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30+:¥1.92

10+:¥2.16

1+:¥2.74

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 750mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 500 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3