ESDA25P35-1U1M
ST(意法半导体)
2-UDFN
¥0.53
7,677
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
类型:齐纳,单向通道:1,电压 - 反向断态(典型值):22V,电压 - 击穿(最小值):23.3V,不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):41V
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ESDA25P35-1U1M
ST(意法半导体)
QFN1610

2500+:¥0.53

500+:¥0.58

150+:¥0.62

50+:¥0.72

5+:¥0.88

1078

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ESDA25P35-1U1M
ST(意法半导体)
DFN1610-2

5000+:¥0.5512

2500+:¥0.5807

500+:¥0.6298

150+:¥0.7401

50+:¥0.8286

5+:¥1.0349

6510

-
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ESDA25P35-1U1M
STMICROELECTRONICS
QFN-2L

100+:¥0.686

50+:¥0.784

1+:¥0.882

78

2418
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ESDA25P35-1U1M
ST(意法半导体)
QFN

60+:¥0.9724

79

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ESDA25P35-1U1M
ST(意法半导体)
1610

8000+:¥0.4576

4000+:¥0.49816

2000+:¥0.53352

500+:¥0.57616

100+:¥0.6344

1+:¥0.91936

384

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1-3工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
类型 齐纳
单向通道 1
电压 - 反向断态(典型值) 22V
电压 - 击穿(最小值) 23.3V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) 41V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) 35A(8/20µs)
功率 - 峰值脉冲 1400W(1.4kW)
电源线路保护
应用 通用
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 2-UDFN