DZT5551Q-13
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.968
1,865
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):160 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):50µA(ICBO)
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DZT5551Q-13
美台(DIODES)
SOT-223-3

25000+:¥0.968

5000+:¥1.045

2500+:¥1.1

800+:¥1.54

200+:¥2.2

10+:¥3.5805

920

-
DZT5551Q-13
Diodes(达尔)
SOT-223

100+:¥1.177

40+:¥1.529

920

-
3天-15天
DZT5551Q-13
DIODES(美台)
SOT-223

150+:¥1.2134

50+:¥1.3654

5+:¥1.7199

25

-
立即发货
DZT5551Q-13
DIODES
SOT-223-3

2500+:¥0.7875

1000+:¥0.8523

500+:¥0.8897

100+:¥0.9457

10+:¥1.02

1+:¥1.079

2970

2246+
1工作日
DZT5551Q-13
DIODES(美台)
SOT223

2500+:¥0.88

1+:¥0.932

2450

25+
立即发货
DZT5551Q-13
DIODES(美台)
SOT-223-3

2500+:¥0.9768

1250+:¥1.0345

100+:¥1.1877

1+:¥1.5429

2450

25+
2-4工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 160 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50µA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V
功率 - 最大值 2 W
频率 - 跃迁 300MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA