DZT5401-13
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.7403
7,706
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):150 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
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DZT5401-13
DIODES(美台)
SOT223

2500+:¥0.673

1+:¥0.727

4015

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DZT5401-13
美台(DIODES)
SOT-223-4

25000+:¥0.7403

5000+:¥0.7992

2500+:¥0.8413

800+:¥1.1778

200+:¥1.6826

10+:¥2.7384

3843

-
DZT5401-13
Diodes(达尔)
SOT-223-3

2500+:¥0.7403

1250+:¥0.7997

100+:¥0.9438

50+:¥1.232

3863

-
3天-15天
DZT5401-13
Diodes(美台)
SOT-223

2500+:¥0.70824

1250+:¥0.76648

100+:¥0.90376

1+:¥1.1752

4015

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1-3工作日
DZT5401-13
DIODES(美台)
SOT-223

17500+:¥0.6735

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 150 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 60 @ 10mA,5V
功率 - 最大值 1 W
频率 - 跃迁 300MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA