DXT5551P5-13
DIODES(美台)
PowerDI-5
¥0.8736
62,101
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):160 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
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DXT5551P5-13
Diodes(美台)
PowerDI-5

5000+:¥0.8736

1+:¥0.92144

16160

25+
1-2工作日发货
DXT5551P5-13
美台(DIODES)
PowerDI-5

50000+:¥0.924

10000+:¥0.9975

5000+:¥1.05

1000+:¥1.47

300+:¥2.1

10+:¥3.4178

16165

-
DXT5551P5-13
Diodes(达尔)
PowerDI™ 5

5000+:¥0.9438

2500+:¥0.9955

1250+:¥1.0549

100+:¥1.177

40+:¥1.474

16165

-
3天-15天
DXT5551P5-13
DIODES(美台)
PowerDI-5

5000+:¥0.954

2500+:¥1.0189

500+:¥1.1269

150+:¥1.4234

50+:¥1.6178

5+:¥2.0714

13410

-
立即发货
DXT5551P5-13
DIODES(美台)
PowerDI™5

300+:¥1.02

150+:¥1.0677

50+:¥1.1439

10+:¥1.2583

1+:¥1.4013

201

-
立即发货
DXT5551P5-13
Diodes(美台)
--

5000+:¥0.90376

2500+:¥0.95264

1250+:¥1.01088

100+:¥1.1336

1+:¥1.4144

17415

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 160 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V
功率 - 最大值 2.25 W
频率 - 跃迁 130MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerDI™ 5