DXT13003DG-13
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.8526
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三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):450 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 250mA,1A,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):16 @ 500mA,2V
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DXT13003DG-13
DIODES INCORPORATED

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1+:¥0.8869

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2229
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DXT13003DG-13
美台(DIODES)
SOT-223-4

25000+:¥0.9108

5000+:¥0.9833

2500+:¥1.035

800+:¥1.449

200+:¥2.07

10+:¥3.3689

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Diodes(达尔)
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2500+:¥0.9141

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100+:¥1.111

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DXT13003DG-13
DIODES(美台)
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SOT223

2500+:¥0.84

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1.3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 450 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 400mV @ 250mA,1A
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 16 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 700 mW
频率 - 跃迁 4MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA