DTA114EET1G
onsemi(安森美)
SC-75(SOT-416)
¥0.16813
5,310
数字晶体管
晶体管类型:PNP - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
DTA114EET1G
ON(安森美)
SC-75(SOT-523)

3000+:¥0.16813

1800

22+
1-3工作日发货
DTA114EET1G
安森美(onsemi)
SOT-523

30000+:¥0.1777

6000+:¥0.1918

3000+:¥0.2019

800+:¥0.2827

100+:¥0.4038

20+:¥0.6572

2898

-
DTA114EET1G
onsemi(安森美)
SC-75(SOT-416)

300+:¥0.2047

100+:¥0.2339

10+:¥0.2925

510

-
立即发货
DTA114EET1G
ON(安森美)
UMT3

3000+:¥0.28

1+:¥0.316

50

21+
立即发货
DTA114EET1G
ON(安森美)
SC-75(SOT-523)

3000+:¥0.2912

1+:¥0.32864

42

21+
1-2工作日发货

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 10 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 35 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 200 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-75,SOT-416