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DTA114EE
CBI(创基)
SOT-523
数字晶体管
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DTA114EE
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CBI(创基)
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SOT-523
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21000+:￥0.0362 9000+:￥0.0388 3000+:￥0.0436 600+:￥0.049 200+:￥0.0678 20+:￥0.0992 |
300 |
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立即发货
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立创商城
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DTA114EE
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cbi/香港创基
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SOT-523
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9000+:￥0.0667 6000+:￥0.0684 3000+:￥0.0696 |
240000 |
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3-7工作日
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云汉芯城
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DTA114EE
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CBI(创基)
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SOT-523-3
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5000+:￥0.056 2000+:￥0.0575 500+:￥0.06 300+:￥0.065 100+:￥0.07 1+:￥0.075 |
0 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 直流电流增益(hFE) | 30@5mA,5V |