DST847BPDP6-7
DIODES(美台)
SOT-963-6
¥0.375
79,605
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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DST847BPDP6-7
DIODES(美台)
SOT963

10000+:¥0.375

1+:¥0.408

19900

23+
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DST847BPDP6-7
Diodes(美台)
--

10000+:¥0.39

1+:¥0.42432

19895

23+
1-2工作日发货
DST847BPDP6-7
Diodes(达尔)
SOT-963

10000+:¥0.39

5000+:¥0.4244

2500+:¥0.4545

500+:¥0.4909

100+:¥0.5398

80+:¥0.6627

19900

-
3天-15天
DST847BPDP6-7
美台(DIODES)
SOT-963-6

100000+:¥0.4125

20000+:¥0.4453

10000+:¥0.4688

1000+:¥0.6563

300+:¥0.9376

10+:¥1.4532

19900

-
DST847BPDP6-7
Diodes(美台)
--

10000+:¥0.31616

5000+:¥0.34528

2500+:¥0.36857

500+:¥0.39852

100+:¥0.43846

1+:¥0.63564

19900

--
1-3工作日
DST847BPDP6-7
DIODES(美台)
SOT-963-6

150+:¥0.5228

50+:¥0.5296

5+:¥0.5398

10

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 250mW
频率 - 跃迁 175MHz,340MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-963