DSS60600MZ4-13
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.8
16,373
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 600mA,6A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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DSS60600MZ4-13
DIODES(美台)
SOT223

2500+:¥0.8

1+:¥0.849

3785

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DSS60600MZ4-13
Diodes(达尔)
SOT-223

2500+:¥0.88

1250+:¥0.9339

100+:¥1.0736

40+:¥1.397

3785

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DSS60600MZ4-13
DIODES(美台)
SOT-223

500+:¥0.9233

150+:¥1.112

50+:¥1.2632

5+:¥1.6161

1555

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美台(DIODES)
SOT-223

25000+:¥1.1809

5000+:¥1.2748

2500+:¥1.3419

800+:¥1.8787

200+:¥2.6838

10+:¥4.3679

7248

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DSS60600MZ4-13
DIODES INCORPORATED
SOT-223

1000+:¥1.327

100+:¥1.4602

1+:¥1.96

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 6 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 350mV @ 600mA,6A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 120 @ 1A,2V
功率 - 最大值 1.2 W
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA