DSS5240V-7
DIODES(美台)
SOT-563
¥0.286
23,552
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.8 A,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):530mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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DSS5240V-7
DIODES(美台)
SOT563

3000+:¥0.286

1+:¥0.323

5889

23+
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DSS5240V-7
Diodes(美台)
SOT-563

3000+:¥0.29744

1+:¥0.33592

5885

23+
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DSS5240V-7
Diodes(达尔)
SOT-563

3000+:¥0.2975

1500+:¥0.336

200+:¥0.3869

90+:¥0.5991

5889

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3天-15天
DSS5240V-7
美台(DIODES)
SOT-563

30000+:¥0.3146

6000+:¥0.3396

3000+:¥0.3575

800+:¥0.5005

200+:¥0.715

10+:¥1.1636

5889

-
DSS5240V-7
Diodes(美台)
SOT-563

3000+:¥0.24044

1500+:¥0.27206

200+:¥0.31283

1+:¥0.48505

5890

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1.8 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 530mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 300 @ 100mA,5V
功率 - 最大值 600 mW
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666