DSS5240TQ-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.22908
12,276
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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DSS5240TQ-7
DIODES(美台)
SOT-23

1000+:¥0.2291

500+:¥0.2419

100+:¥0.2633

30+:¥0.3113

10+:¥0.4372

1+:¥0.6593

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DSS5240TQ-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.44

1+:¥0.471

2823

22+
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DSS5240TQ-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.4576

1+:¥0.48984

2817

22+
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DSS5240TQ-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.484

6000+:¥0.5225

3000+:¥0.55

800+:¥0.77

200+:¥1.1

10+:¥1.7903

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-
DSS5240TQ-7
Diodes(达尔)
SOT-23-3

200+:¥0.5698

70+:¥0.8261

2823

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3天-15天

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 350mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 210 @ 1A,2V
功率 - 最大值 730 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3