DSS5220V-7
DIODES(美台)
SOT-563
¥0.26
11,844
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):20 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):390mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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DSS5220V-7
DIODES(美台)
SOT563

3000+:¥0.26

1+:¥0.294

2950

21+
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DSS5220V-7
Diodes(美台)
圆盘

3000+:¥0.2704

1+:¥0.30576

2944

21+
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DSS5220V-7
美台(DIODES)
SOT-563

30000+:¥0.286

6000+:¥0.3088

3000+:¥0.325

800+:¥0.455

100+:¥0.65

20+:¥1.0075

2950

-
DSS5220V-7
Diodes(达尔)
SOT-563

1500+:¥0.3822

200+:¥0.4394

90+:¥0.5753

2950

-
3天-15天
DSS5220V-7
DIODES(美台)
SOT-563

150+:¥0.4577

50+:¥0.4639

5+:¥0.4732

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 20 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 390mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 155 @ 1A,2V
功率 - 最大值 600 mW
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666