DSS2540M-7B
DIODES(美台)
DFN-3(1x0.6)
¥0.18408
47,993
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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DSS2540M-7B
DIODES(美台)
X1-DFN1006-3

10000+:¥0.18

1+:¥0.198

19000

24+
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DSS2540M-7B
Diodes(美台)
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10000+:¥0.18408

1+:¥0.2028

15993

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DSS2540M-7B
美台(DIODES)
DFN-3(1x0.6)

100000+:¥0.198

20000+:¥0.2138

10000+:¥0.225

1000+:¥0.315

300+:¥0.45

10+:¥0.6975

16000

-
DSS2540M-7B
Diodes(达尔)
DFN1006-3

10000+:¥0.2655

5000+:¥0.2925

500+:¥0.2925

120+:¥0.4381

16000

-
3天-15天
DSS2540M-7B
Diodes(美台)
--

10000+:¥0.1872

5000+:¥0.20592

500+:¥0.23712

1+:¥0.35464

19000

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1-3工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 150 @ 100mA,2V
功率 - 最大值 250 mW
频率 - 跃迁 300MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-UFDFN