DPLS350E-13
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.6468
15,698
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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DPLS350E-13
DIODES(美台)
SOT223

2500+:¥0.565

1+:¥0.61

898

23+
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DPLS350E-13
美台(DIODES)
SOT-223-4

25000+:¥0.6468

5000+:¥0.6983

2500+:¥0.735

800+:¥1.029

200+:¥1.47

10+:¥2.3924

12500

-
DPLS350E-13
DIODES(美台)
SOT-223

500+:¥0.7479

150+:¥0.8104

50+:¥0.8605

5+:¥0.9774

2300

-
立即发货
DPLS350E-13
Diodes(达尔)
SOT-223

100+:¥0.7931

50+:¥1.0307

898

-
3天-15天

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 2A,2V
功率 - 最大值 1 W
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA