DNBT8105-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.215
17,265
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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DNBT8105-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.215

1+:¥0.243

4645

2年内
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DNBT8105-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.2236

1+:¥0.25272

4638

2年内
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Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.2795

1500+:¥0.3159

200+:¥0.3627

90+:¥0.5629

4645

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3天-15天
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DIODES(美台)
SOT-23

1200+:¥0.3041

600+:¥0.3072

100+:¥0.3354

10+:¥0.4226

1000

-
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DNBT8105-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23-3

1+:¥0.3048

1357

2205
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DIODES(美台)
SOT-23

300+:¥0.3103

100+:¥0.3568

10+:¥0.4496

980

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3000+:¥0.2236

1500+:¥0.25272

200+:¥0.29016

1+:¥0.45032

4951

--
1-3工作日
DNBT8105-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.2475

6000+:¥0.2672

3000+:¥0.2813

800+:¥0.3938

100+:¥0.5626

20+:¥0.9156

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 500mA,5V
功率 - 最大值 600 mW
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3