停产
DN0150ALP4-7B
DIODES(美台)
DFN1006-3
¥0.276548
24,943
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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价格(含税)
库存
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渠道
DN0150ALP4-7B
DIODES(美台)
DFN1006-3

5000+:¥0.2765

2500+:¥0.2821

500+:¥0.2933

150+:¥0.3073

50+:¥0.3259

5+:¥0.3631

9950

-
立即发货
DN0150ALP4-7B
DIODES(美台)
X1-DFN1006-3

10000+:¥0.35

1+:¥0.382

5000

21+
立即发货
DN0150ALP4-7B
Diodes(美台)
DFN-3(1x0.6)

10000+:¥0.364

1+:¥0.39728

4993

21+
1-2工作日发货
DN0150ALP4-7B
美台(DIODES)
DFN-3(1x0.6)

100000+:¥0.385

20000+:¥0.4156

10000+:¥0.4375

1000+:¥0.6125

100+:¥0.875

20+:¥1.4241

5000

-
DN0150ALP4-7B
Diodes(达尔)
X1-DFN1006-3

5000+:¥0.4966

2500+:¥0.5304

500+:¥0.5733

100+:¥0.6305

70+:¥0.7733

5000

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 120 @ 2mA,6V
功率 - 最大值 450 mW
频率 - 跃迁 60MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-XFDFN