DJT4030P-13
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.52
30,792
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 300mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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DJT4030P-13
DIODES(美台)
SOT223

2500+:¥0.52

1+:¥0.562

10221

23+
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DJT4030P-13
美台(DIODES)
SOT-223-4

25000+:¥0.5719

5000+:¥0.6176

2500+:¥0.65

800+:¥0.91

200+:¥1.3

10+:¥2.1158

10221

-
DJT4030P-13
Diodes(达尔)
SOT-223-3

2500+:¥0.572

1250+:¥0.6182

100+:¥0.7282

60+:¥0.9471

10221

-
3天-15天
DJT4030P-13
DIODES(美台)
SOT-223

100+:¥0.5456

30+:¥0.5748

10+:¥0.5846

1+:¥0.6333

74

-
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DJT4030P-13
DIODES(美台)
SOT-223

5000+:¥0.6889

2500+:¥0.727

500+:¥0.7904

150+:¥0.9329

50+:¥1.0471

5+:¥1.3135

55

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 300mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 1A,1V
功率 - 最大值 1.2 W
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA