DDTD123TC-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1352
7,776
数字晶体管
晶体管类型:NPN - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 50mA,5V
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DDTD123TC-7-F
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.1352

1+:¥0.15288

2364

2年内
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DDTD123TC-7-F
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.136

1+:¥0.154

2375

2年内
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DDTD123TC-7-F
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.143

6000+:¥0.1544

3000+:¥0.1625

800+:¥0.2275

100+:¥0.325

20+:¥0.529

2369

-
DDTD123TC-7-F
Diodes(达尔)
SOT-23-3

1500+:¥0.2205

200+:¥0.255

150+:¥0.3406

2369

-
3天-15天
DDTD123TC-7-F
DIODES(美台)
SOT-23

300+:¥0.2223

100+:¥0.2541

10+:¥0.3176

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 2.2 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 50mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA(ICBO)
频率 - 跃迁 200 MHz
功率 - 最大值 200 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3