DDTD114EC-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.167
49
数字晶体管
晶体管类型:NPN - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
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DDTD114EC-7-F
DIODES(美台)
SOT23

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DDTD114EC-7-F
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.17368

1+:¥0.19656

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DDTD114EC-7-F
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.1837

6000+:¥0.1984

3000+:¥0.2088

800+:¥0.2923

100+:¥0.4176

20+:¥0.6797

16

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SOT-23

3000+:¥0.17368

1500+:¥0.19656

200+:¥0.22568

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1-3工作日
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DIODES INCORPORATED

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 10 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 56 @ 50mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 200 MHz
功率 - 最大值 200 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3