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DDTC115TE-7-F
DIODES(美台)
SOT-523
数字晶体管
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：100 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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DDTC115TE-7-F
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DIODES(美台)
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SOT523
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3000+:￥0.118 1+:￥0.133 |
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圣禾堂
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3000+:￥0.12272 1+:￥0.13832 |
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硬之城
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美台(DIODES)
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30000+:￥0.1298 6000+:￥0.1401 3000+:￥0.1475 800+:￥0.2065 100+:￥0.295 20+:￥0.4802 |
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油柑网
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Diodes(达尔)
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3000+:￥0.1416 1500+:￥0.1596 280+:￥0.1848 |
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DIODES(美台)
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300+:￥0.26 100+:￥0.2635 10+:￥0.2688 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50 V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 100 kOhms |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 100µA，1mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 频率 - 跃迁 | 250 MHz |
| 功率 - 最大值 | 150 mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |