DDTC113ZE-7-F
DIODES(美台)
SOT-523
¥0.10953
110,028
数字晶体管
晶体管类型:NPN - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
DDTC113ZE-7-F
Diodes(美台)
SOT-523

3000+:¥0.10953

1000+:¥0.11156

500+:¥0.11359

100+:¥0.11553

10+:¥0.11695

60000

21+
现货
DDTC113ZE-7-F
DIODES(美台)
SOT523

3000+:¥0.116

1+:¥0.131

16249

23+
立即发货
DDTC113ZE-7-F
Diodes(美台)
SOT-523-3

3000+:¥0.12064

1+:¥0.13624

16243

23+
1-2工作日发货
DDTC113ZE-7-F
美台(DIODES)
SOT-523-3

30000+:¥0.1276

6000+:¥0.1378

3000+:¥0.145

800+:¥0.203

100+:¥0.29

20+:¥0.472

16249

-
DDTC113ZE-7-F
DIODES INCORPORATED

1+:¥0.1302

1287

2129
现货最快4H发

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 10 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 33 @ 5mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 250 MHz
功率 - 最大值 150 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-523