DDTB114EC-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.188
11,014
数字晶体管
晶体管类型:PNP - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
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DDTB114EC-7-F
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.188

1+:¥0.212

2755

22+
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DDTB114EC-7-F
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.19552

1+:¥0.22048

2749

22+
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DDTB114EC-7-F
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.2068

6000+:¥0.2233

3000+:¥0.235

800+:¥0.329

100+:¥0.47

20+:¥0.7649

2755

-
DDTB114EC-7-F
Diodes(达尔)
SOT-23-3

1500+:¥0.2756

200+:¥0.3172

110+:¥0.4927

2755

-
3天-15天
DDTB114EC-7-F
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.19552

1500+:¥0.22048

200+:¥0.25376

1+:¥0.39416

2756

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1-3工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 10 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 56 @ 50mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 200 MHz
功率 - 最大值 200 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3