DDTB113ZC-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.131
11,881
数字晶体管
晶体管类型:PNP - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
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DDTB113ZC-7-F
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.131

1+:¥0.148

2967

25+
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DDTB113ZC-7-F
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.13624

1+:¥0.15392

2960

25+
1-2工作日发货
DDTB113ZC-7-F
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.1441

6000+:¥0.1556

3000+:¥0.1638

800+:¥0.2293

100+:¥0.3276

20+:¥0.5332

2967

-
DDTB113ZC-7-F
Diodes(达尔)
SOT-23-3

1500+:¥0.222

200+:¥0.2565

150+:¥0.3432

2967

-
3天-15天
DDTB113ZC-7-F
DIODES(美台)
SOT-23

300+:¥0.2402

100+:¥0.2435

10+:¥0.2484

20

-
立即发货
DDTB113ZC-7-F
Diodes(美台)
3.05 mm*1.4 mm*1 mm

3000+:¥0.13624

1500+:¥0.15392

200+:¥0.17784

1+:¥0.27456

2989

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1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 10 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 56 @ 50mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 200 MHz
功率 - 最大值 200 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3