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CSD86350Q5D
TI(德州仪器)
8-PowerLDFN
DC-DC电源芯片
技术：MOSFET（金属氧化物），配置：2 个 N 通道（半桥），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：25V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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CSD86350Q5D
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TI(德州仪器)
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SON-8-EP(5x6)
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1000+:￥3.773 500+:￥3.9298 100+:￥4.5374 30+:￥5.42 10+:￥6.11 1+:￥7.37 |
790 |
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立即发货
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立创商城
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CSD86350Q5D
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TI(德州仪器)
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SON8
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500+:￥4.29 100+:￥4.91 20+:￥5.65 1+:￥7.35 |
3100 |
22+/23+
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在芯间
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CSD86350Q5D
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德州仪器(TI)
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SON-8-EP(5x6)
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500+:￥5.08 100+:￥5.842 30+:￥7.112 10+:￥8.636 1+:￥10.16 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 20A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10.7nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1870pF @ 12.5V |
| 功率 - 最大值 | 13W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerLDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China External:Taiwan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN External:1 |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Philippines |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:1 |