onsemi(安森美)
6-SMD,鸥翼
¥0.5642
1020
通道数:1,电压 - 隔离:4170Vrms,电流传输比(最小值):20% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):2µs,2µs,输入类型:DC
ISOCOM(英国安数光)
4-SMD,鸥翼
¥1.474
651
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 1mA,电流传输比(最大值):320% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):4µs,3µs
TOSHIBA(东芝)
6-SOIC(0.173",4.40mm 宽),4 引线
¥1.0039
7605
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):150% @ 5mA,电流传输比(最大值):300% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
ISOCOM(英国安数光)
8-SMD,鸥翼
¥1.07001
8742
通道数:2,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 1mA,电流传输比(最大值):600% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
ISOCOM(英国安数光)
8-SMD,鸥翼
¥1.28
0
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):7% @ 16mA,电流传输比(最大值):50% @ 16mA,接通 / 关断时间(典型值):150ns,700ns
ISOCOM(英国安数光)
6-SMD,鸥翼
¥1.2822
0
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
VISHAY(威世)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥1.4144
5950
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥1.4553
19846
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):40% @ 10mA,电流传输比(最大值):125% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
ISOCOM(英国安数光)
4-SMD,鸥翼
¥1.456
108
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):80% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):4µs,3µs
RENESAS(瑞萨)
4-SMD,鸥翼
¥2.37
1783
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,电流传输比(最大值):400% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):10µs,10µs
TOSHIBA(东芝)
SOP-6
¥1.2375
5053
输入类型:DC,工作电压:10V~30V,隔离电压(Vrms):5kV,CMTI(kV/us):20kV/us
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥1.3837
840
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):6µs,5µs
VISHAY(威世)
4-DIP(0.400",10.16mm)
¥1.4659
25
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
onsemi(安森美)
6-SMD,鸥翼
¥1.483
1598
通道数:1,电压 - 隔离:7500Vpk,电流传输比(最小值):20% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):2µs,2µs,上升/下降时间(典型值):2µs,1.5µs
VISHAY(威世)
4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥1.3
4647
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 1mA,电流传输比(最大值):200% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):5µs,8µs
Slkor(萨科微)
DIP-6
¥1.225
9
输入类型:DC,工作电压:4.5V~5.5V;2.7V~3.6V,隔离电压(Vrms):5kV,传输速率:1Mbit/s
VISHAY(威世)
4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥2.37
289
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):5µs,5µs
LITEON(光宝)
SOP-6
¥2.21
61
输入类型:DC,工作电压:3V~16V,隔离电压(Vrms):5kV,CMTI(kV/us):10kV/us
onsemi(安森美)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥1.56
535
通道数:1,电压 - 隔离:4170Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):2µs,2µs,输入类型:DC
VISHAY(威世)
6-SMD,鸥翼
¥1.77
479
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):10µs,10µs,输入类型:DC
TOSHIBA(东芝)
6-SOIC(0.173",4.40mm 宽),4 引线
¥1.54
4060
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):200% @ 500µA,电流传输比(最大值):400% @ 500µA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
onsemi(安森美)
8-SMD,鸥翼
¥1.699
3
通道数:2,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):2.4µs,2.4µs,输入类型:DC
VISHAY(威世)
4-DIP(0.300",7.62mm)
¥1.7015
21920
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):320% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
ISOCOM(英国安数光)
8-DIP(0.300",7.62mm)
¥1.69
2530
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):19% @ 16mA,电流传输比(最大值):50% @ 16mA,接通 / 关断时间(典型值):150ns,400ns
RENESAS(瑞萨)
4-DIP(0.300",7.62mm)
¥2.11
3534
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):80% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):3µs,5µs
ISOCOM(英国安数光)
8-SMD,鸥翼
¥1.74
0
通道数:1,输入 - 侧 1/侧 2:1/0,电压 - 隔离:2500Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):1kV/µs,输入类型:DC
EVERLIGHT(亿光)
8-DIP(0.300",7.62mm)
¥1.78
0
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):300% @ 1.6mA,接通 / 关断时间(典型值):1.4µs,8µs,输入类型:DC
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥2.04
8
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):63% @ 10mA,电流传输比(最大值):125% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
ISOCOM(英国安数光)
4-SMD,鸥翼
¥1.8
0
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):1000% @ 1mA,电流传输比(最大值):15000% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):100µs,20µs
onsemi(安森美)
8-DIP(0.300",7.62mm)
¥1.7762
0
通道数:2,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):2.4µs,2.4µs,输入类型:DC
TOSHIBA(东芝)
DIP-6
¥2.1
2941
正向压降(Vf):1.3V,输出电流(It(rms)):100mA,隔离电压(Vrms):2.5kV,正向电流:50mA
TOSHIBA(东芝)
SOIC-4
¥1.8634
2272
输入类型:DC,输出类型:光电三极管,正向压降(Vf):1.25V,输出电流:50mA
RENESAS(瑞萨)
4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥1.352
10178
通道数:1,电压 - 隔离:2500Vrms,电流传输比(最小值):200% @ 1mA,上升/下降时间(典型值):200µs,200µs,输入类型:DC
AVAGO(安华高)/Broadcom(博通)
4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥1.8895
307
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):80% @ 5mA,电流传输比(最大值):160% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
TOSHIBA(东芝)
6-SOIC(0.173",4.40mm 宽),4 引线
¥1.926
0
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,3µs
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥1.85
19139
输出类型:Triac,过零电路:无,通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电压 - 断态:600 V
ISOCOM(英国安数光)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥1.98644
66
输出类型:Triac,过零电路:是,通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电压 - 断态:800 V
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥2.0315
0
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):160% @ 10mA,电流传输比(最大值):320% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
VISHAY(威世)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥2.1
29
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 10mA,电流传输比(最大值):200% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
ISOCOM(英国安数光)
4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥2.3477
2990
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 5mA,电流传输比(最大值):300% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):3µs,4µs
TOSHIBA(东芝)
6-SOIC(0.173",4.40mm 宽),4 引线
¥1.76
4885
通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,电流传输比(最小值):1000% @ 1mA,接通 / 关断时间(典型值):50µs,15µs,上升/下降时间(典型值):40µs,15µs
onsemi(安森美)
6-SMD,鸥翼
¥2.12
313
输出类型:Triac,过零电路:无,通道数:1,电压 - 隔离:4170Vrms,电压 - 断态:400 V
VISHAY(威世)
6-SMD,鸥翼
¥2.178
349
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 10mA,电流传输比(最大值):80% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3µs,2.3µs
LITEON(光宝)
8-DIP(0.300",7.62mm)
¥1.82
21529
技术:光学耦合,通道数:1,电压 - 隔离:5000Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):15kV/µs,传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):400ns,400ns
onsemi(安森美)
6-SMD,鸥翼
¥4.32
11
输出类型:Triac,过零电路:是,通道数:1,电压 - 隔离:4170Vrms,电压 - 断态:400 V
ISOCOM(英国安数光)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥2.25
0
通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):500% @ 10mA,接通 / 关断时间(典型值):3.5µs,95µs,输入类型:DC
VISHAY(威世)
4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
¥1.78
6
通道数:1,电压 - 隔离:3750Vrms,电流传输比(最小值):100% @ 5mA,电流传输比(最大值):200% @ 5mA,接通 / 关断时间(典型值):6µs,4µs
TOSHIBA(东芝)
SO-8
¥2.3408
670
输入类型:DC,正向压降(Vf):1.55V,输出电流:50mA,隔离电压(Vrms):5kV
ISOCOM(英国安数光)
16-DIP(0.300",7.62mm)
¥3.14
4533
通道数:4,电压 - 隔离:5300Vrms,电流传输比(最小值):50% @ 5mA,电流传输比(最大值):600% @ 5mA,上升/下降时间(典型值):4µs,3µs
VISHAY(威世)
6-DIP(0.300",7.62mm)
¥2.4727
2
输出类型:Triac,过零电路:无,通道数:1,电压 - 隔离:5300Vrms,电压 - 断态:800 V