咨询/建议
频率：12.288MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：27.12MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：24MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：10pF
类型：陶瓷，频率：20 MHz，频率稳定性：±0.13%，频率容差：±0.07%，特性：内置电容
频率：45MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：1.8V
频率：30MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±50ppm，工作温度：-40℃~+85℃
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
频率：32MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：3.579545MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：13.56MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：50MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：25MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：50MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：25.000625MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
频率：11.2896MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：16.384MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：6MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：38.4MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：1MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：156.25MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：22.5792MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：19.6608MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：48MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：16MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：32.768kHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±20ppm
类型：陶瓷，频率：20 MHz，频率稳定性：±0.11%，频率容差：±0.07%，特性：内置电容
频率：26MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：24MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.2V
频率：16.384MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V