咨询/建议
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：26MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：9pF
频率：26MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF，频率稳定度：±20ppm
晶振类型：直插晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：38.4MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：8MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27.12MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：15pF
类型：陶瓷，频率：10 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
类型：陶瓷，频率：12 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
频率：40MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：24MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~5V
类型：陶瓷，频率：6 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±35ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：8pF
类型：陶瓷，频率：8 MHz，频率稳定性：±0.4%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
频率：16MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：19.2MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：37.125MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
类型：MHz 晶体，频率：16 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：100MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：125MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
频率：156.25MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：2.5V~3.3V
频率：156.25MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：8pF
晶振类型：贴片晶振，频率：7.3728MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF