咨询/建议
类型：MHz 晶体，频率：20 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：10MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
频率：24MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：27MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：1.8V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：10 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
频率：14.7456MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：200 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：200 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
频率：156.25MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：10MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12.288MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
频率：32.768kHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：10MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：16pF
频率：33MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：74.176MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：74.25MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：18.432 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
晶振类型：贴片晶振，频率：20MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
类型：MHz 晶体，频率：26 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：8pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：50 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：25.000625 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：75 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：40.5 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：74.25 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
频率：74.25MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：HCMOS；LVCMOS，工作电压：3.3V
频率：33.333MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：HCMOS；LVCMOS，工作电压：2.25V~3.63V
频率：24MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：HCMOS；LVCMOS，工作电压：1.8V
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：9pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
功能：VCO，频率：8.6GHz ~ 10.2GHz，射频类型：通用，辅助属性：双输出（除以 4，标准），安装类型：表面贴装型
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：37.125 MHz，功能：待机（断电），输出：CMOS
类型：陶瓷，频率：3.58 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
停产
类型：MEMS，频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：8pF，ESR（等效串联电阻）：75 kOhms
停产
类型：陶瓷，频率：8 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：26 MHz，功能：待机（断电），输出：CMOS
频率：2.048MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：7.3728MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：4pF，ESR（等效串联电阻）：75 kOhms