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商品目录
三极管/MOS管/晶体管
三极管(BJT)
2SB772
厂牌:
CJ(江苏长电/长晶)
封装:
手册:
市场价:
¥0.211
库存量:
0
热度:
供应商报价
5
描述:
S9014
厂牌:
MDD(辰达行)
封装:
手册:
市场价:
¥0.0275
库存量:
314495
热度:
供应商报价
9
描述:
S8550
厂牌:
MDD(辰达行)
封装:
手册:
市场价:
¥0.02584
库存量:
278034
热度:
供应商报价
10
描述:
MMBT3904
厂牌:
MDD(辰达行)
封装:
手册:
市场价:
¥0.02046
库存量:
1208206
热度:
供应商报价
9
描述:
MMBT2222A
厂牌:
MDD(辰达行)
封装:
手册:
市场价:
¥0.04223
库存量:
200033
热度:
供应商报价
8
描述:
不适用于新设计
UMX4NTR
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
UMT-6
手册:
市场价:
¥0.237
库存量:
13645
热度:
供应商报价
10
描述:
晶体管类型:2 NPN(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50mA,电压 - 集射极击穿(最大值):20V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 4mA,20mA,电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
不适用于新设计
2SB1260T100R
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
SOT-89
手册:
市场价:
¥0.485
库存量:
58523
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
LBC847CWT1G
厂牌:
LRC(乐山无线电)
封装:
SC-70
手册:
市场价:
¥0.056
库存量:
248242
热度:
供应商报价
7
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):150mW
BC847BS-TP
厂牌:
MCC(美微科)
封装:
SOT-363
手册:
市场价:
¥0.08651
库存量:
779413
热度:
供应商报价
5
描述:
晶体管类型:2 NPN(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
SSTA06T116
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.31096
库存量:
15437
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
SST3904MGT116
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
手册:
市场价:
¥0.09474
库存量:
51804
热度:
供应商报价
5
描述:
S9014
厂牌:
TOSHIBA(东芝)
封装:
手册:
市场价:
¥0.0396
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
MMBTA42
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
手册:
市场价:
¥0.09567
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
8550SS
厂牌:
CJ(江苏长电/长晶)
封装:
TO-92
手册:
市场价:
¥0.0969
库存量:
2571
热度:
供应商报价
5
描述:
MMBT3904
厂牌:
VISHAY(威世)
封装:
手册:
市场价:
¥0.1043
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
PMBT2222A,215
厂牌:
NXP(恩智浦)
封装:
手册:
市场价:
¥0.033
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
BC856B,235
厂牌:
NXP(恩智浦)
封装:
手册:
市场价:
¥
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
BC817-40W
厂牌:
NXP(恩智浦)
封装:
手册:
市场价:
¥0.43
库存量:
6842
热度:
供应商报价
1
描述:
BUL742C
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥2.2533
库存量:
0
热度:
供应商报价
4
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A,电压 - 集射极击穿(最大值):400 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 1A,3.5A,电流 - 集电极截止(最大值):250µA
2N3446
厂牌:
MICROCHIP(美国微芯)
封装:
TO-204AD(TO-3)
手册:
市场价:
¥
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,功率 - 最大值:115 W,安装类型:通孔
2SC6097-TL-E
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-252-3
手册:
市场价:
¥1.82745
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):135mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
FJD5304DTF
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
DPAK-3
手册:
市场价:
¥1.7
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A,电压 - 集射极击穿(最大值):400 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 500mA,2.5A,电流 - 集电极截止(最大值):100µA
FMMT549
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.57848
库存量:
0
热度:
供应商报价
4
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
停产
MMBT3904
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
手册:
市场价:
¥0.322
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V
BFU550WF
厂牌:
NXP(恩智浦)
封装:
SC-70
手册:
市场价:
¥1.51
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,电压 - 集射极击穿(最大值):12V,频率 - 跃迁:11GHz,噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.3dB @ 1.8GHz,增益:12dB
SS8550CTA
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
手册:
市场价:
¥0.3542
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):25 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 80mA,800mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
SMMBTA56WT1G
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
SC-70-3
手册:
市场价:
¥0.188944
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
停产
MMBT3904SL
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-923F
手册:
市场价:
¥0.3974
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V
停产
BC556BG
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
手册:
市场价:
¥0.232
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):65 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
2SC4027T-TL-E
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-252-2
手册:
市场价:
¥2.65178
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):160 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):450mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
PBSS306PZ,135
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-223-3
手册:
市场价:
¥1.9144
库存量:
8000
热度:
供应商报价
4
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4.1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):325mV @ 410mA,4.1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
BC55PA,115
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
DFN2020D-3
手册:
市场价:
¥0.4385
库存量:
40
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
2PC4617QMB,315
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-883-3
手册:
市场价:
¥1.45
库存量:
93
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
BC807-16HVL
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.1746
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
BC807-16LZ
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.2076
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
BC807-25LWF
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-323-3
手册:
市场价:
¥0.1916
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
BC807-40LWF
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-323-3
手册:
市场价:
¥0.0336
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
BCP51-10TF
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-223-4
手册:
市场价:
¥0.2428
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
BCV61,235
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
TO-253-4,TO-253AA
手册:
市场价:
¥0.3001
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:2 NPN(双)电流反射镜,应用:电流镜像,电压 - 额定:30V,额定电流(安培):100mA,等级:汽车级
BCW68FR
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.1099
库存量:
15000
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):800 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):450mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):5µA(ICBO)
PBSS301NX,115
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-89-3
手册:
市场价:
¥
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):12 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 265mA,5.3A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
PBSS305ND,115
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-457
手册:
市场价:
¥0.895
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):360mV @ 400mA,4A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
停产
PBSS4041SP,115
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SO-8
手册:
市场价:
¥3.15
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:2 PNP(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.9A,电压 - 集射极击穿(最大值):60V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):275mV @ 400mA,4A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
停产
PBSS4350SPN,115
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SO-8
手册:
市场价:
¥1.48
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2.7A,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):340mV @ 270mA, 2.7A / 370mV @ 270mA, 2.7A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
PMSTA55,115
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-323-3
手册:
市场价:
¥0.1549
库存量:
930
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不适用于新设计
BC848CE6327HTSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.2088
库存量:
68
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
HN1C01F-GR(TE85L,F
厂牌:
TOSHIBA(东芝)
封装:
USC
手册:
市场价:
¥0.245
库存量:
155
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:2 NPN(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
ZXT10N20DE6TA
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-26
手册:
市场价:
¥2.2
库存量:
56
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):20 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 100mA,3.5A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
停产
2DB1714-13
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-89-3
手册:
市场价:
¥0.459
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):370mV @ 75mA,1.5A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
停产
APT13003DU-G1
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
TO-126
手册:
市场价:
¥0.786
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):450 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 250mA,1A,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):5 @ 1A,2V
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