CJ(江苏长电/长晶)
¥0.211
0
MDD(辰达行)
¥0.0275
314495
MDD(辰达行)
¥0.02584
278034
MDD(辰达行)
¥0.02046
1208206
MDD(辰达行)
¥0.04223
200033
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
UMT-6
¥0.237
13645
晶体管类型:2 NPN(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50mA,电压 - 集射极击穿(最大值):20V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 4mA,20mA,电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOT-89
¥0.485
58523
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
LRC(乐山无线电)
SC-70
¥0.056
248242
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):150mW
MCC(美微科)
SOT-363
¥0.08651
779413
晶体管类型:2 NPN(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
ROHM(罗姆)
SOT-23
¥0.31096
15437
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
ROHM(罗姆)
¥0.09474
51804
TOSHIBA(东芝)
¥0.0396
0
DIODES(美台)
¥0.09567
0
CJ(江苏长电/长晶)
TO-92
¥0.0969
2571
VISHAY(威世)
¥0.1043
0
NXP(恩智浦)
¥0.033
0
NXP(恩智浦)
0
NXP(恩智浦)
¥0.43
6842
ST(意法半导体)
TO-220
¥2.2533
0
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A,电压 - 集射极击穿(最大值):400 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 1A,3.5A,电流 - 集电极截止(最大值):250µA
MICROCHIP(美国微芯)
TO-204AD(TO-3)
0
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,功率 - 最大值:115 W,安装类型:通孔
onsemi(安森美)
TO-252-3
¥1.82745
0
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):135mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
onsemi(安森美)
DPAK-3
¥1.7
0
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A,电压 - 集射极击穿(最大值):400 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 500mA,2.5A,电流 - 集电极截止(最大值):100µA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.57848
0
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
停产
onsemi(安森美)
¥0.322
0
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V
NXP(恩智浦)
SC-70
¥1.51
0
晶体管类型:NPN,电压 - 集射极击穿(最大值):12V,频率 - 跃迁:11GHz,噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.3dB @ 1.8GHz,增益:12dB
onsemi(安森美)
TO-92-3
¥0.3542
0
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):25 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 80mA,800mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
onsemi(安森美)
SC-70-3
¥0.188944
0
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
停产
onsemi(安森美)
SOT-923F
¥0.3974
0
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V
停产
onsemi(安森美)
¥0.232
0
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):65 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
onsemi(安森美)
TO-252-2
¥2.65178
0
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):160 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):450mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
Nexperia(安世)
SOT-223-3
¥1.9144
8000
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4.1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):325mV @ 410mA,4.1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
Nexperia(安世)
DFN2020D-3
¥0.4385
40
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
Nexperia(安世)
SOT-883-3
¥1.45
93
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.1746
0
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.2076
0
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.1916
0
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.0336
0
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
Nexperia(安世)
SOT-223-4
¥0.2428
0
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
Nexperia(安世)
TO-253-4,TO-253AA
¥0.3001
0
晶体管类型:2 NPN(双)电流反射镜,应用:电流镜像,电压 - 额定:30V,额定电流(安培):100mA,等级:汽车级
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.1099
15000
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):800 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):450mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):5µA(ICBO)
Nexperia(安世)
SOT-89-3
0
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):12 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 265mA,5.3A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
Nexperia(安世)
SOT-457
¥0.895
0
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):360mV @ 400mA,4A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
停产
Nexperia(安世)
SO-8
¥3.15
0
晶体管类型:2 PNP(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.9A,电压 - 集射极击穿(最大值):60V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):275mV @ 400mA,4A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
停产
Nexperia(安世)
SO-8
¥1.48
0
晶体管类型:NPN,PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2.7A,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):340mV @ 270mA, 2.7A / 370mV @ 270mA, 2.7A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.1549
930
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.2088
68
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
TOSHIBA(东芝)
USC
¥0.245
155
晶体管类型:2 NPN(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
DIODES(美台)
SOT-26
¥2.2
56
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):20 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 100mA,3.5A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
停产
DIODES(美台)
SOT-89-3
¥0.459
0
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):370mV @ 75mA,1.5A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
停产
DIODES(美台)
TO-126
¥0.786
0
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):450 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 250mA,1A,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):5 @ 1A,2V