咨询/建议
不适用于新设计
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：150mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：1.3W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：20V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：400V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：150mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：400V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：330mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：2W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：15 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：32V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN+PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：150mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：5A，集射极击穿电压(Vceo)：20V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：750mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：625mW
集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：1W，特征频率(fT)：150MHz
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：35V，耗散功率(Pd)：460mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：400V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：550mV @ 1.25mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：150 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
不适用于新设计
晶体管类型：NPN，PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN+PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
不适用于新设计
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：150mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：750mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：800mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：50mA，集射极击穿电压(Vceo)：11V，耗散功率(Pd)：150mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：32 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 500µA，10mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：12V，耗散功率(Pd)：100mW，直流电流增益(hFE)：680@10mA,2V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：800mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，直流电流增益(hFE)：60@0.8A,1.5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：32V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：800mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：330mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA