咨询/建议
核心处理器：ARM7®，内核规格：16/32-位，速度：55MHz，连接能力：EBI/EMI，I²C，SPI，SSC，UART/USART，USB，外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT
核心处理器：C28x，内核规格：32 位单核，速度：200MHz，连接能力：CANbus，I²C，McBSP，SCI，SPI，uPP，UART/USART，USB，外设：DMA，POR，PWM，WDT
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：4.75V ~ 5.25V，宏单元数：128，I/O 数：80
核心处理器：MIPS32® M-Class，内核规格：32 位单核，速度：200MHz，连接能力：EBI/EMI，以太网，I²C，PMP，SPI，SQI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：1300，逻辑元件/单元数：16640，总 RAM 位数：921600，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的单核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：256KB，外设：DMA，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：9.1 ns，供电电压 - 内部：2.7V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
LAB/CLB 数：250，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：193536，I/O 数：101，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
核心处理器：ARM® Cortex®-M4/M7，内核规格：32 位双核，速度：240MHz，480MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：288，逻辑元件/单元数：4608，总 RAM 位数：119808，I/O 数：142，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
核心处理器：ARM® Cortex®-M4/M7，内核规格：32 位双核，速度：240MHz，480MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-M4F，内核规格：32 位单核，速度：80MHz，连接能力：CANbus，FlexIO，I²C，LINbus，SPI，UART/USART，外设：POR，PWM，WDT
核心处理器：C28x，内核规格：32 位双核，速度：200MHz，连接能力：CANbus，以太网，I²C，McBSP，SCI，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：106，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：218，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：218，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：16000，总 RAM 位数：562176，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：1300，逻辑元件/单元数：16640，总 RAM 位数：921600，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：106，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：9 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
停产
LAB/CLB 数：1164，逻辑元件/单元数：10476，总 RAM 位数：368640，I/O 数：158，栅极数：500000
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：29080，逻辑元件/单元数：77000，总 RAM 位数：5001216，I/O 数：240，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
核心处理器：HCS12，内核规格：16 位，速度：25MHz，连接能力：CANbus，I²C，SCI，SPI，外设：PWM，WDT
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
核心处理器：ARM® Cortex®-A9，内核数/总线宽度：4 核，32 位，速度：1.0GHz，协处理器/DSP：多媒体；NEON™ SIMD，RAM 控制器：LPDDR2，LVDDR3，DDR3
LAB/CLB 数：5831，逻辑元件/单元数：74637，总 RAM 位数：3170304，I/O 数：280，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
停产
核心处理器：PowerPC e500v2，内核数/总线宽度：1 核，32 位，速度：1.0GHz，RAM 控制器：DDR3，DDR3L，图形加速：无
LAB/CLB 数：516，逻辑元件/单元数：8256，总 RAM 位数：165888，I/O 数：138，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
逻辑单元数：114480，逻辑阵列块数量：7155，内嵌式块RAM(eRAM)：3981312bit，工作温度：-40℃~+100℃
核心处理器：ARM® Cortex®-A9，内核数/总线宽度：2 核，32 位，速度：1.0GHz，协处理器/DSP：多媒体；NEON™ SIMD，RAM 控制器：LPDDR2，LVDDR3，DDR3
LAB/CLB 数：4160，逻辑元件/单元数：37440，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：309，栅极数：1800000
LAB/CLB 数：16825，逻辑元件/单元数：215360，总 RAM 位数：13455360，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
核心处理器：ARM® Cortex®-M4F，内核规格：32 位单核，速度：120MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，QSSI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，运动控制 PWM，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：25475，逻辑元件/单元数：326080，总 RAM 位数：16404480，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：31775，逻辑元件/单元数：406720，总 RAM 位数：29306880，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
CPU内核：RISC，程序存储容量：2KB，程序存储器类型：FLASH，工作电压：2.2V~5.5V
CPU内核：ARM-M0，CPU最大主频：32MHz，程序存储容量：16KB，程序存储器类型：FLASH
CPU内核：51系列，程序存储容量：4KB，程序存储器类型：FLASH，ADC(位数)：10bit
CPU内核：RISC，程序存储容量：2KB，程序存储器类型：FLASH，工作电压：2.7V~5.5V