SXN(顺翔诺)
SMD,10.4x10.3mm
¥0.519175
3877
电感值:220uH,精度:±20%,额定电流:700mA,饱和电流(Isat):1.19A
最后售卖
TDK(东电化)
非标准
¥0.66
13206
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:100 µH,容差:±20%,额定电流(安培):650 mA
Sunlord(顺络)
非标准
¥0.704
12640
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:合金粉末,电感:3.3 µH,容差:±20%,额定电流(安培):11 A
cjiang(长江微电)
SMD,4.4x4.2mm
¥0.7475
8600
电感值:22uH,精度:±20%,额定电流:1.2A,饱和电流(Isat):1.4A
振宝佳电子
SMD,7.1x6.6mm
¥0.5071
475
电感值:100uH,精度:±20%,额定电流:1A,饱和电流(Isat):1.8A
XR(祥如)
SMD,4x4mm
¥1.1385
9000
电感值:10uH,精度:±20%,额定电流:3.7A,饱和电流(Isat):4.5A
VISHAY(威世)
非标准
¥1.2272
37508
类型:模制,电感:2.2 µH,容差:±20%,额定电流(安培):6.75 A,电流 - 饱和 (Isat):5.5A
SXN(顺翔诺)
SMD,13.8x12.6mm
¥1.60377
693
电感值:4.7uH,精度:±20%,额定电流:13A,饱和电流(Isat):18A
cjiang(长江微电)
SMD,5.5x5.3mm
¥2.53
5778
电感值:5.6uH,精度:±20%,额定电流:7.2A,饱和电流(Isat):8.6A
爱普微科技
SMD,3x3mm
¥0.09291
7000
电感值:33uH,精度:±20%,额定电流:510mA,饱和电流(Isat):530mA
爱普微科技
SMD,4x4mm
¥0.13129
660
电感值:3.9uH,精度:±20%,额定电流:2.3A,饱和电流(Isat):3.3A
cjiang(长江微电)
SMD,4x4mm
¥0.141075
8090
电感值:6.8uH,精度:±20%,额定电流:1.5A,饱和电流(Isat):2A
Sunlord(顺络)
非标准
¥0.1145
161011
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:100 µH,容差:±20%,额定电流(安培):310 mA
YJYCOIN(益嘉源)
SMD,3x3mm
¥0.182
21170
电感值:33uH,精度:±20%,额定电流:430mA,直流电阻(DCR):820mΩ
cjiang(长江微电)
SMD,6x6mm
¥0.1955
3070
电感值:150uH,精度:±20%,额定电流:770mA,饱和电流(Isat):880mA
Sunlord(顺络)
SMD,5x5mm
¥0.15148
46000
电感值:3.3uH,精度:±20%
muRata(村田)
0402(1005 公制)
¥0.266
440
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:无磁性,电感:2.2 nH,容差:±2%,额定电流(安培):2.53 A
XR(祥如)
SMD,0420
¥0.22572
11240
电感值:2.2uH,精度:±20%,额定电流:4.5A,饱和电流(Isat):5A
YJYCOIN(益嘉源)
SMD,6x6mm
¥0.238
4995
电感值:4.7uH,精度:±20%,额定电流:3.3A,直流电阻(DCR):26mΩ
TAIYO YUDEN(太诱)
0603(1608 公制)
¥0.193842
36970
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:10 µH,容差:±10%,额定电流(安培):115 mA
YJYCOIN(益嘉源)
SMD,6x6mm
¥0.3182
1640
电感值:68uH,精度:±20%,额定电流:800mA,直流电阻(DCR):360mΩ
cjiang(长江微电)
SMD,8x8mm
¥0.3163
2825
电感值:470uH,精度:±20%,额定电流:600mA,饱和电流(Isat):700mA
TDK(东电化)
非标准
¥0.41715
593
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:33 µH,容差:±20%,额定电流(安培):1.5 A
TDK(东电化)
非标准
¥0.425
13036
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:金属,电感:2.2 µH,容差:±20%,额定电流(安培):3.15 A
YAGEO(国巨)
SMD,7.3x6.6mm
¥0.4395
4234
电感值:2.2uH,精度:±20%,额定电流:8A,饱和电流(Isat):14A
Sunlord(顺络)
非标准
¥0.473
61320
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:合金粉末,电感:470 nH,容差:±20%,额定电流(安培):7.5 A
Sunlord(顺络)
非标准
¥0.5501
220202
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:22 µH,容差:±20%,额定电流(安培):2.7 A
FH(风华)
0630
¥0.5847
60
电感值:22uH,精度:±20%,额定电流:2.5A,饱和电流(Isat):3A
Sumida(胜美达)
非标准
¥0.8702
5157
类型:模制,材料 - 磁芯:金属,电感:10 µH,容差:±20%,额定电流(安培):4 A
cjiang(长江微电)
SMD,4.1x4.1mm
¥2.17
2119
电感值:3.3uH,精度:±20%,额定电流:6.6A,饱和电流(Isat):6.2A
muRata(村田)
0402(1005 公制)
¥0.0987
41811
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:无磁性,电感:5.1 nH,容差:±0.1nH,额定电流(安培):600 mA
muRata(村田)
0603(1608 公制)
¥0.1056
36145
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:无磁性,电感:470 nH,容差:±2%,额定电流(安培):75 mA
muRata(村田)
0603(1608 公制)
¥0.15772
11910
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:无磁性,电感:43 nH,容差:±2%,额定电流(安培):380 mA
Sunltech(韩国顺磁)
0805
¥0.1038
20960
电感值:2.2uH,精度:±20%,额定电流:900mA,直流电阻(DCR):200mΩ
muRata(村田)
0402(1005 公制)
¥0.1284
4106
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:无磁性,电感:7.5 nH,容差:±5%,额定电流(安培):570 mA
cjiang(长江微电)
SMD,4x4mm
¥0.133285
6240
电感值:1uH,精度:±20%,额定电流:3.3A,饱和电流(Isat):5.2A
TDK(东电化)
1210(3225 公制)
¥0.14
127007
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:2.2 µH,容差:±20%,额定电流(安培):770 mA
爱普微科技
SMD,6x6mm
¥0.1863
0
电感值:6.8uH,精度:±20%,额定电流:3A,饱和电流(Isat):3.9A
muRata(村田)
0402(1005 公制)
¥0.1455
10800
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:无磁性,电感:3 nH,容差:±2%,额定电流(安培):1.35 A
cjiang(长江微电)
SMD,8x8mm
¥0.2862
4185
电感值:68uH,精度:±20%,额定电流:1.4A,饱和电流(Isat):1.6A
Sunlord(顺络)
非标准
¥0.3245
121349
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:6.8 µH,容差:±20%,额定电流(安培):3.6 A
TDK(东电化)
1210(3225 公制)
¥0.3736
3905
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:10 µH,容差:±10%,额定电流(安培):600 mA
TDK(东电化)
0806(2016 公制)
¥0.376
42683
类型:薄膜,材料 - 磁芯:金属,电感:2.2 µH,容差:±20%,额定电流(安培):1.9 A
SXN(顺翔诺)
SMD,7.1x6.6mm
¥0.422275
3741
电感值:6.8uH,精度:±20%,额定电流:5.5A,饱和电流(Isat):7.3A
PROD(谱罗德)
SMD,7.1x6.6mm
¥0.33072
13498
电感值:22uH,精度:±20%,额定电流:2A,饱和电流(Isat):3.5A
SXN(顺翔诺)
SMD,7.5x7.5mm
¥0.48336
1665
电感值:47uH,精度:±20%,饱和电流(Isat):1.5A,直流电阻(DCR):260mΩ
Sunltech(韩国顺磁)
SMD,7.1x6.6mm
¥0.4815
10165
电感值:10uH,精度:±20%,额定电流:4.5A,直流电阻(DCR):55mΩ
SXN(顺翔诺)
SMD,7.5x7.5mm
¥0.5635
5335
电感值:33uH,精度:±20%,额定电流:960mA,饱和电流(Isat):1.8A
cjiang(长江微电)
SMD,5.4x5.2mm
¥0.5374
785
电感值:100nH,精度:±20%,额定电流:25A,饱和电流(Isat):33A
Sunltech(韩国顺磁)
SMD
¥0.61559
12575
电感值:47uH,精度:±20%,额定电流:2.5A,直流电阻(DCR):100mΩ