muRata(村田)
0201(0603 公制)
¥0.06973
24900
类型:厚膜,材料 - 磁芯:无磁性,电感:1.5 nH,容差:±0.1nH,额定电流(安培):1 A
muRata(村田)
0402(1005 公制)
¥0.137
1810
类型:多层,材料 - 磁芯:Air,电感:1.1 nH,容差:±0.1nH,额定电流(安培):1 A
Sunltech(韩国顺磁)
1206
¥0.18354
9290
电感值:47uH,精度:±10%,额定电流:5mA,直流电阻(DCR):3.4Ω
microgate(麦捷)
1206
¥0.152
3635
电感值:1uH,精度:±20%,额定电流:1.6A,直流电阻(DCR):100mΩ
Sunlord(顺络)
0603
¥0.2471
20
电感值:5.1nH,额定电流:600mA,直流电阻(DCR):130mΩ
SHOU HAN(首韩)
SMD,5.8x5.2mm
¥0.160075
6840
电感值:220uH,精度:±10%,额定电流:340mA,直流电阻(DCR):1.45Ω
岑科科技
SMD,3x3mm
¥0.1792
0
电感值:10uH,精度:±20%,额定电流:1A,饱和电流(Isat):1.2A
TDK(东电化)
0805(2012 公制)
¥0.12
13886
类型:多层,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:10 µH,容差:±10%,额定电流(安培):15 mA
TDK(东电化)
0402(1005 公制)
¥0.186298
21913
类型:多层,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:560 nH,容差:±5%,额定电流(安培):120 mA
Sunlord(顺络)
0805
¥0.2255
11507
电感值:560nH,精度:±5%,额定电流:230mA,直流电阻(DCR):1.9Ω
muRata(村田)
0603(1608 公制)
¥0.2846
690
类型:多层,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:2.2 µH,容差:±10%,额定电流(安培):15 mA
XR(祥如)
1210
¥0.342
11145
电感值:100uH,精度:±10%,额定电流:150mA,直流电阻(DCR):1.5Ω
muRata(村田)
0603(1608 公制)
¥0.7172
665
类型:多层,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:2.2 µH,容差:±20%,额定电流(安培):700 mA
muRata(村田)
1212(3030 公制)
¥0.65805
4940
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:10 µH,容差:±20%,额定电流(安培):800 mA
SHOU HAN(首韩)
SMD,10.5x10.5mm
¥0.81244
6855
电感值:100uH,精度:±20%,额定电流:1.35A,直流电阻(DCR):340mΩ
Sunltech(韩国顺磁)
SMD
¥0.77826
350
电感值:10nH,精度:±5%
TDK(东电化)
2-SMD,J 形引线
¥1.8364
1843
类型:鼓芯,绕线式,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:1 mH,容差:±10%,额定电流(安培):150 mA
KOHERelec(科或)
SMD,11x10mm
¥0.618
783
电感值:2.2uH,精度:±20%,额定电流:15A,饱和电流(Isat):20A
FH(风华)
0402
¥0.0072
228178
电感值:20nH,精度:±5%,额定电流:300mA,直流电阻(DCR):600mΩ
YAGEO(国巨)
0402
¥0.0112
29900
电感值:2.2nH,额定电流:400mA,直流电阻(DCR):120mΩ,品质因数:8@100MHz
FH(风华)
0402
¥0.00535
8445
电感值:47nH,精度:±5%,额定电流:150mA,直流电阻(DCR):1.1Ω
FH(风华)
0201
¥0.00904
0
电感值:12nH,精度:±5%,额定电流:190mA,直流电阻(DCR):680mΩ
muRata(村田)
0201(0603 公制)
¥0.035343
5150
类型:厚膜,材料 - 磁芯:无磁性,电感:3 nH,容差:±0.2nH,额定电流(安培):450 mA
TDK(东电化)
0402
¥0.0193
17657
类型:多层,材料 - 磁芯:陶瓷,无磁性,电感:0.8 nH,容差:±0.2nH,额定电流(安培):1 A
TDK(东电化)
0402(1005 公制)
¥0.023
13980
类型:多层,材料 - 磁芯:陶瓷,无磁性,电感:100 nH,容差:±5%,额定电流(安培):200 mA
Sunlord(顺络)
0402(1005 公制)
¥0.02535
141261
类型:多层,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:1.2 µH,容差:±10%,额定电流(安培):15 mA
Sunlord(顺络)
0402(1005 公制)
¥0.02535
191271
类型:多层,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:820 nH,容差:±10%,额定电流(安培):15 mA
Sunlord(顺络)
0603(1608 公制)
¥0.02678
401704
类型:多层,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:820 nH,容差:±10%,额定电流(安培):35 mA
TDK(东电化)
0402(1005 公制)
¥0.0342
910
类型:多层,材料 - 磁芯:陶瓷,无磁性,电感:0.7 nH,容差:±0.1nH,额定电流(安培):1 A
muRata(村田)
0201(0603 公制)
¥0.0264
0
类型:厚膜,材料 - 磁芯:无磁性,电感:0.1 nH,容差:±0.1nH,额定电流(安培):850 mA
FH(风华)
0805
¥0.1067
123913
电感值:680nH,精度:±5%,额定电流:190mA,直流电阻(DCR):2.1Ω
FH(风华)
0603
¥0.0935
163375
电感值:270nH,精度:±5%,额定电流:170mA,直流电阻(DCR):2.3Ω
FH(风华)
0603
¥0.0935
70035
电感值:56nH,精度:±5%,额定电流:600mA,直流电阻(DCR):280mΩ
YAGEO(国巨)
0402
¥0.096985
1940
电感值:2.7nH,精度:±5%,额定电流:640mA,直流电阻(DCR):120mΩ
muRata(村田)
0201(0603 公制)
¥0.1055
1380
类型:厚膜,材料 - 磁芯:无磁性,电感:2.9 nH,容差:±0.1nH,额定电流(安培):600 mA
爱普微科技
0603
¥0.11324
3840
电感值:2.2nH,精度:±5%,额定电流:700mA,直流电阻(DCR):250mΩ
muRata(村田)
0402(1005 公制)
¥0.0958
0
类型:多层,材料 - 磁芯:Air,电感:27 nH,容差:±3%,额定电流(安培):350 mA
爱普微科技
0805
¥0.111625
6880
电感值:68uH,精度:±10%,额定电流:40mA,直流电阻(DCR):17.5Ω
爱普微科技
0805
¥0.11913
2030
电感值:15nH,精度:±5%,额定电流:600mA,直流电阻(DCR):170mΩ
muRata(村田)
0201(0603 公制)
¥0.1648
2195
类型:厚膜,材料 - 磁芯:无磁性,电感:2.4 nH,容差:±0.1nH,额定电流(安培):600 mA
muRata(村田)
0201(0603 公制)
¥0.07056
18386
类型:厚膜,材料 - 磁芯:无磁性,电感:2.7 nH,容差:±0.1nH,额定电流(安培):600 mA
FH(风华)
1210
¥0.1801
22885
电感值:100nH,精度:±5%,额定电流:850mA,直流电阻(DCR):210mΩ
Sunlord(顺络)
0603
¥0.251775
0
电感值:2.7nH,额定电流:1A,直流电阻(DCR):43mΩ
SHOU HAN(首韩)
SMD,12.5x12.5mm
¥0.915952
3305
电感值:330uH,精度:±20%,额定电流:1.42A,直流电阻(DCR):280mΩ
KOHERelec(科或)
SMD,4.1x4.5mm
¥1.939
3195
电感值:6.8uH,精度:±20%,饱和电流(Isat):2.4A,直流电阻(DCR):131mΩ
KOHERelec(科或)
SMD,10.2x10.5mm
¥4.24
1387
电感值:7.8uH,精度:±20%,额定电流:8A,饱和电流(Isat):9.5A
FH(风华)
0402
¥0.0058
37073
电感值:15nH,精度:±5%,额定电流:250mA,直流电阻(DCR):700mΩ
Sunlord(顺络)
0201(0603 公制)
¥0.0084
1267463
类型:多层,材料 - 磁芯:陶瓷,电感:9.1 nH,容差:±5%,额定电流(安培):250 mA
FH(风华)
0402
¥0.0132
873994
电感值:3.9nH
FH(风华)
0603
¥0.0149
297288
电感值:560nH,精度:±10%,额定电流:50mA,直流电阻(DCR):700mΩ