TDK(东电化)
0805(2012 公制)
¥0.28
6142
类型:多层,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:47 µH,容差:±20%,额定电流(安培):170 mA
TDK(东电化)
0806(2016 公制)
¥0.4576
117506
类型:薄膜,材料 - 磁芯:金属,电感:470 nH,容差:±20%,额定电流(安培):5.2 A
TDK(东电化)
1210(3225 公制)
¥1.9864
2539
类型:薄膜,材料 - 磁芯:金属,电感:6.8 µH,容差:±20%,额定电流(安培):1.4 A
KOHERelec(科或)
SMD,7.1x6.6mm
¥1.98
527
电感值:10uH,精度:±20%,额定电流:4A,饱和电流(Isat):5.5A
FH(风华)
0402
¥0.0071
1632548
电感值:6.8nH,精度:±5%,额定电流:300mA,直流电阻(DCR):300mΩ
Sunlord(顺络)
0402
¥0.0086
226505
电感值:5.6nH,额定电流:300mA,直流电阻(DCR):300mΩ
FH(风华)
0402
¥0.0099
232214
电感值:2nH
Sunlord(顺络)
0402(1005 公制)
¥0.0132
890649
类型:多层,材料 - 磁芯:陶瓷,电感:270 nH,容差:±5%,额定电流(安培):100 mA
muRata(村田)
0201(0603 公制)
¥0.009
212124
类型:厚膜,材料 - 磁芯:无磁性,电感:1.2 nH,容差:±0.1nH,额定电流(安培):600 mA
FH(风华)
0603
¥0.0149
1269333
电感值:220nH,精度:±10%,额定电流:50mA,直流电阻(DCR):400mΩ
TDK(东电化)
0402(1005 公制)
¥0.023
19492
类型:多层,材料 - 磁芯:陶瓷,无磁性,电感:0.8 nH,容差:±0.1nH,额定电流(安培):1 A
Sunlord(顺络)
0603(1608 公制)
¥0.0242
1580660
类型:多层,电感:4.7 nH,容差:±0.3nH,额定电流(安培):500 mA,屏蔽:无屏蔽
Sunltech(韩国顺磁)
0402
¥0.0247
10300
电感值:270nH,精度:±5%,额定电流:100mA,直流电阻(DCR):4.5Ω
FH(风华)
0805
¥0.052
1096449
电感值:2.2uH,精度:±20%,额定电流:600mA,直流电阻(DCR):360mΩ
Sunlord(顺络)
1206
¥0.0979
207524
电感值:4.7uH,精度:±10%,额定电流:50mA,直流电阻(DCR):900mΩ
TDK(东电化)
0805(2012 公制)
¥0.121
3741
类型:多层,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:470 nH,容差:±5%,额定电流(安培):200 mA
FH(风华)
1206
¥0.1012
656709
电感值:47uH,精度:±10%,额定电流:5mA,直流电阻(DCR):1.6Ω
FH(风华)
0805
¥0.099
34703
电感值:120nH,精度:±5%,额定电流:400mA,直流电阻(DCR):510mΩ
爱普微科技
0603
¥0.111245
4500
电感值:100nH,精度:±5%,额定电流:400mA,直流电阻(DCR):580mΩ
JOHANSON(约翰逊)
0402
¥0.1214
4020
类型:多层,材料 - 磁芯:陶瓷,电感:2.7 nH,容差:±0.3nH,额定电流(安培):300 mA
爱普微科技
0805
¥0.1197
2220
电感值:33nH,精度:±5%,额定电流:500mA,直流电阻(DCR):270mΩ
爱普微科技
0805
¥0.11913
2020
电感值:18nH,精度:±5%,额定电流:600mA,直流电阻(DCR):200mΩ
爱普微科技
0805
¥0.163115
3490
电感值:15uH,精度:±10%,额定电流:380mA,直流电阻(DCR):1.82Ω
FH(风华)
1210
¥0.1801
26419
电感值:2.2uH,精度:±5%,额定电流:450mA,直流电阻(DCR):600mΩ
FH(风华)
1812
¥0.297
22301
电感值:4.7uH,精度:±5%,额定电流:700mA,直流电阻(DCR):1Ω
SHOU HAN(首韩)
SMD,11.6x10.1mm
¥0.97831
3490
电感值:4.7uH,精度:±20%,额定电流:9A,饱和电流(Isat):12A
Sunlord(顺络)
1210
¥1.485
3
电感值:4.7uH,精度:±20%,额定电流:850mA,饱和电流(Isat):850mA
KOHERelec(科或)
SMD,11x10mm
¥2.261
779
电感值:33uH,精度:±20%,额定电流:5.5A,饱和电流(Isat):5.8A
Sunlord(顺络)
0402(1005 公制)
¥0.0086
1571571
类型:多层,材料 - 磁芯:陶瓷,电感:3.6 nH,容差:±0.3nH,额定电流(安培):300 mA
muRata(村田)
0402(1005 公制)
¥0.0159
149058
类型:多层,材料 - 磁芯:Air,电感:82 nH,容差:±5%,额定电流(安培):200 mA
muRata(村田)
0201(0603 公制)
¥0.0137
83862
类型:厚膜,材料 - 磁芯:无磁性,电感:33 nH,容差:±3%,额定电流(安培):120 mA
FH(风华)
0603
¥0.0197
875214
电感值:6.8uH,精度:±10%,额定电流:5mA,直流电阻(DCR):1.55Ω
TDK(东电化)
0402(1005 公制)
¥0.0216
57060
类型:多层,材料 - 磁芯:陶瓷,无磁性,电感:2.2 nH,容差:±0.1nH,额定电流(安培):900 mA
TDK(东电化)
0402(1005 公制)
¥0.022
22920
类型:多层,材料 - 磁芯:陶瓷,无磁性,电感:1 nH,容差:±0.1nH,额定电流(安培):1 A
TAI-TECH(台庆)
0603
¥0.02944
34629
电感值:10uH,精度:±10%,额定电流:15mA,直流电阻(DCR):2.55Ω
TDK(东电化)
0402(1005 公制)
¥0.027146
8890
类型:多层,材料 - 磁芯:陶瓷,无磁性,电感:0.3 nH,容差:±0.2nH,额定电流(安培):1 A
microgate(麦捷)
2012
¥0.0736
5874
电感值:4.7uH,精度:±20%,额定电流:1A,直流电阻(DCR):250mΩ
爱普微科技
0603
¥0.11381
7280
电感值:6.8nH,精度:±5%,额定电流:700mA,直流电阻(DCR):110mΩ
TDK(东电化)
0805(2012 公制)
¥0.141
40812
类型:多层,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:560 nH,容差:±5%,额定电流(安培):150 mA
muRata(村田)
0201(0603 公制)
¥0.106575
12980
类型:厚膜,材料 - 磁芯:无磁性,电感:1.2 nH,容差:±0.1nH,额定电流(安培):1.1 A
SHOU HAN(首韩)
SMD,7.8x7mm
¥0.2254
5832
电感值:22uH,精度:±10%,额定电流:1.5A,直流电阻(DCR):91mΩ
muRata(村田)
0603(1608 公制)
¥0.178262
7170
类型:多层,材料 - 磁芯:Air,电感:1.2 nH,容差:±0.3nH,额定电流(安培):1.1 A
SHOU HAN(首韩)
SMD,7.8x7mm
¥0.320815
7385
电感值:33uH,精度:±10%,额定电流:1.2A,直流电阻(DCR):119.6mΩ
muRata(村田)
0805(2012 公制)
¥0.4644
430
类型:多层,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:560 nH,容差:±10%,额定电流(安培):150 mA
TAIYO YUDEN(太诱)
0603(1608 公制)
¥0.50985
3780
类型:多层,材料 - 磁芯:金属,电感:1 µH,容差:±20%,额定电流(安培):1.3 A
muRata(村田)
1008
¥0.6569
140
类型:多层,材料 - 磁芯:铁氧体,电感:2.2 µH,容差:±20%,额定电流(安培):1.5 A
SHOU HAN(首韩)
SMD,7.2x6.6mm
¥0.643264
5810
电感值:1.5uH,精度:±20%,额定电流:10A,直流电阻(DCR):7mΩ
KOHERelec(科或)
SMD,5.2x5.7mm
¥2.493
4448
电感值:2.2uH,精度:±20%,额定电流:6.5A,饱和电流(Isat):6.5A
TDK(东电化)
1210(3225 公制)
¥3.01
1087
类型:薄膜,材料 - 磁芯:金属,电感:10 µH,容差:±20%,额定电流(安培):1.2 A
KOHERelec(科或)
SMD,10x11mm
¥3.087
1191
电感值:47uH,精度:±20%,额定电流:3.5A,饱和电流(Isat):4A