咨询/建议
材料 - 磁芯：铁氧体，电感：2.2 µH，容差：±30%，额定电流（安培）：1.9 A，电流 - 饱和 （Isat）：1.6A
电感值：47uH，精度：±20%，额定电流：3.3A，饱和电流(Isat)：3.5A
匝数比：1CT:1CT，端口数量：单口，速率：10/100 Base-T，功能(POE或非POE)：POE
电感值：4.7uH，精度：±20%，额定电流：6.5A，饱和电流(Isat)：7A
电感值：12uH，精度：±20%，额定电流：4.9A，直流电阻(DCR)：24mΩ
电感值：100uH，精度：±20%，额定电流：1.9A，直流电阻(DCR)：150mΩ
电感值：68uH，精度：±20%，额定电流：2.5A，饱和电流(Isat)：3.5A
类型：模制，电感：10 µH，容差：±20%，额定电流（安培）：6.5 A，电流 - 饱和 （Isat）：7A
电感值：39uH，精度：±20%，额定电流：2.75A，直流电阻(DCR)：73mΩ
类型：模制，材料 - 磁芯：金属，电感：6.8 µH，容差：±20%，额定电流（安培）：2.4 A
材料 - 磁芯：铁氧体，电感：6 µH，容差：±30%，额定电流（安培）：2.25 A，屏蔽：屏蔽
类型：模制，电感：10 µH，容差：±20%，额定电流（安培）：2.5 A，电流 - 饱和 （Isat）：7A
电感值：33uH，精度：±20%，额定电流：4A，饱和电流(Isat)：6A
电感值：10uH，精度：±20%，额定电流：11A，饱和电流(Isat)：17A
类型：薄膜，材料 - 磁芯：金属，电感：1 µH，容差：±20%，额定电流（安培）：4 A
电感值：220nH，精度：±20%，额定电流：50A，饱和电流(Isat)：75A
类型：模制，电感：1 µH，容差：±20%，额定电流（安培）：9.2 A，电流 - 饱和 （Isat）：12A
电感：33 µH，容差：±30%，额定电流（安培）：2.2 A，电流 - 饱和 （Isat）：2.3A，屏蔽：屏蔽
类型：模制，电感：1.5 µH，容差：±20%，额定电流（安培）：3.8 A，电流 - 饱和 （Isat）：4A
电感值：470nH，精度：±20%，额定电流：18.4A，饱和电流(Isat)：26A
电感值：1uH，精度：±20%，额定电流：9.6A，饱和电流(Isat)：9.6A
电感值：6.8uH，精度：±20%，额定电流：2.9A，饱和电流(Isat)：6.1A
类型：模制，材料 - 磁芯：铁粉，电感：1 µH，容差：±20%，额定电流（安培）：13 A
类型：鼓芯，绕线式，材料 - 磁芯：铁氧体，电感：2.2 µH，容差：±20%，额定电流（安培）：1 A
类型：模制，电感：15 µH，容差：±20%，额定电流（安培）：4.3 A，电流 - 饱和 （Isat）：3.8A
匝数比：1CT:1CT，端口数量：单口，速率：100/1000 Base-T，功能(POE或非POE)：POE
电感值：33uH，精度：±20%，额定电流：9A，饱和电流(Isat)：9A
电感值：3.3uH，精度：±20%，额定电流：17A，饱和电流(Isat)：17.5A
电感：15 µH，容差：±20%，额定电流（安培）：4.5 A，屏蔽：屏蔽，DC 电阻 (DCR)：最大 27 毫欧
类型：模制，电感：330 nH，容差：±20%，额定电流（安培）：20 A，电流 - 饱和 （Isat）：30A
最后售卖
类型：鼓芯，绕线式，材料 - 磁芯：铁氧体，电感：4.7 µH，容差：±30%，额定电流（安培）：1.19 A
匝数比：1CT:1CT，端口数量：单口，速率：100/1000 Base-T，功能(POE或非POE)：POE
电感值：15uH，精度：±20%，额定电流：11A，饱和电流(Isat)：13.5A
类型：鼓芯，绕线式，材料 - 磁芯：铁氧体，电感：470 nH，容差：±20%，额定电流（安培）：900 mA