ADI(亚德诺)
16-TFSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘
¥34.5647
10002
功能:升压/降压,输出配置:正或负,可提供隔离,拓扑:反激,输出数:1,电压 - 输入(最小值):3V
HGSEMI(华冠)
SOT-23-6
¥0.3525
3580
工作电压:10V~26V,开关频率:50kHz~150kHz,最大占空比:80%,拓扑结构:反激式
XINLUDA(信路达)
SOP-8
¥0.4346
2765
工作电压:12V~28V,开关频率:250kHz,耗散功率(Pd):800mW,最大占空比:96%
OB(昂宝)
SOP-8
¥0.49
3745
是否隔离:非隔离,工作电压:4.5V~6V,开关频率:36kHz~44kHz,最大占空比:15%
UTC(友顺)
SOP-8
¥0.7319
3000
开关频率:47kHz~57kHz,耗散功率(Pd):800mW,最大占空比:48%,特性:欠压保护(UVP);过流保护(OCP)
HGSEMI(华冠)
SOP-8
¥0.8813
6100
工作电压:10V~30V,开关频率:47kHz~57kHz,输出电流:1A,耗散功率(Pd):1W
OB(昂宝)
SOP-8
¥1.1115
3980
是否隔离:非隔离,工作电压:8V~12V,开关频率:40kHz,最大占空比:50%
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SO-7
¥1.3455
14205
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:70%
chipown(芯朋微电子)
SOP-8
¥1.615
650
是否隔离:隔离,工作电压:10V~30V,晶体管耐压:650V,特性:恒压模式(CV);欠压保护(UVP);过热保护(OPT);恒流模式(CC);短路保护(SCP);过压保护(OVP);开环保护(OLP);过流保护(OCP)
TM(天微)
DIP-8
¥1.46
1450
工作电压:10V~23V,开关频率:63kHz~71kHz,最大占空比:80%,晶体管耐压:650V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SOIC-7
¥2.2
4943
输出隔离:非隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:降压,降压升压,反激,占空比:69%
SILAN(士兰微)
DIP-8
¥1.20731
943
TI(德州仪器)
SOIC-16
¥3.626
5851
模式:间歇(跃迁),频率 - 开关:45kHz,电流 - 启动:150 µA,电压 - 供电:14V ~ 21V,工作温度:-40°C ~ 125°C
onsemi(安森美)
SOIC-14
¥3.06075
34338
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:半桥,电压 - 启动:9 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):7.5V ~ 10V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SIP-7
¥5.4
3055
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:78%
TI(德州仪器)
VSSOP-8-0.65mm
¥5.14
330
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:20 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8V ~ 30V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8C
¥5.33
2564
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:78%
TI(德州仪器)
VSSOP-8-0.65mm
¥6.18
111
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,正激,电压 - 启动:20 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8V ~ 30V
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TO-220
¥8.78
16644
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:升压,降压,反激,正激,占空比:67%
UTC(友顺)
SOIC-8
¥0.309
1635
最大占空比:94%,特性:欠压保护(UVP);过流保护(OCP),工作温度:0℃~+70℃
XINLUDA(信路达)
SOP-8
¥0.3797
10095
工作电压:12V~28V,开关频率:52kHz,输出电流:200mA,最大占空比:100%
MICRONE(南京微盟)
SOT-23-6
¥0.4977
2970
HGSEMI(华冠)
SOP-8
¥0.5243
4105
工作电压:12V~25V,开关频率:50kHz~500kHz,最大占空比:97%,特性:欠压保护(UVP);过流保护(OCP)
TM(天微)
SOT-23-6
¥0.692
493
工作电压:10V~30V,开关频率:120kHz,工作温度:-40℃~+85℃,工作模式:QR
onsemi(安森美)
SOP-6-1.5mm
¥1.1
12650
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:18 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.8V ~ 28V
SILAN(士兰微)
SOP-8
¥0.788
0
chipown(芯朋微电子)
DIP-7
¥1.2369
1833
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SO-7
¥1.40302
50114
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:55%
Advanced Analog Technology(类比)
DFN-10L
¥2.44
200
是否隔离:非隔离,工作电压:5V~24V,开关频率:100kHz~1MHz,最大占空比:90%
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥2
12104
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,正激,电压 - 启动:14 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 28V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-12
¥3.75
9242
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:78%
停产
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥3.79
105
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):7.5V ~ 18V
停产
onsemi(安森美)
Micro-8
¥4.8
285
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:200V,拓扑:升压,反激,正激,电压 - 启动:10.2 V
ST(意法半导体)
QFN-15(5x6)
¥5.84
3745
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 23V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
ESOP-12
¥7.89
135
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:78%
MPS(Monolithic Power Systems)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),7 引线
¥10.77
458
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):12.5V ~ 24V
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TO-220-7C
¥15.0521
2514
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:66.8%
DIODES(美台)
SOT-23-6
¥0.483
28343
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:15.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):10V ~ 25V
UTC(友顺)
SOIC-8
¥0.51898
33765
工作电压:7.6V~8.4V,最大占空比:96%,特性:欠压保护(UVP);过流保护(OCP),工作温度:0℃~+70℃
EG(屹晶微)
SOP-8
¥0.7153
2910
工作电压:10.5V~30V,特性:欠压保护(UVP);过压保护(OVP);过流保护(OCP),工作温度:-45℃~+125℃,工作模式:CRM
OB(昂宝)
SOP-8
¥0.7236
174
是否隔离:非隔离,工作电压:5.5V~12V,开关频率:40kHz,晶体管耐压:700V
MICRONE(南京微盟)
SOP-7
¥0.82992
4851
SILAN(士兰微)
DIP-8
¥0.889
8956
OB(昂宝)
SOP-8
¥0.8483
3035
是否隔离:非隔离,开关频率:20kHz~40kHz,最大占空比:50%,晶体管耐压:650V
OB(昂宝)
DIP-8
¥1.4
1445
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥1.04
15683
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
chipown(芯朋微电子)
SOP-7
¥1.33
4195
工作电压:8V~40V,开关频率:60kHz~70kHz,最大占空比:90%,晶体管耐压:830V
OB(昂宝)
SOP-8
¥1.44
1042
OB(昂宝)
SOT-23-6
¥1.5283
151
工作电压:12V~50V,开关频率:60kHz~70kHz,最大占空比:80%,拓扑结构:反激式
chipown(芯朋微电子)
SOP-8
¥1.7
1999
工作电压:10V~30V,晶体管耐压:700V,特性:恒压模式(CV);欠压保护(UVP);过热保护(OTP);恒流模式(CC);短路保护(SCP);过压保护(OVP);过流保护(OCP),工作温度:-40℃~+150℃