TI(德州仪器)
SOIC-8
¥6.328
0
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:12V ~ 28V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
TI(德州仪器)
SOIC-16-300mil
¥5.5216
0
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:10V ~ 30V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
TI(德州仪器)
14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥5.5216
0
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),安装类型:表面贴装型,封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TI(德州仪器)
SOIC-16-300mil
¥10.5168
4
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激转换器,全桥,半桥,推挽,输出数:2
TI(德州仪器)
TSSOP-24
¥27.5296
0
输出类型:PWM 信号,功能:降压,输出配置:正,拓扑:降压,输出数:4
TI(德州仪器)
TSSOP-16
¥16.1952
0
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,降压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:降压,升压,反激,输出数:2
TI(德州仪器)
SOIC-16
¥13.6864
0
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,降压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:降压,升压,反激,输出数:2
停产
onsemi(安森美)
PDIP-8
¥8.8298
400
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 启动:8.5 V
ROHM(罗姆)
SOIC-7
¥0.7513
0
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:600V,拓扑:反激,电压 - 启动:8.7 V
onsemi(安森美)
PDIP-7
¥5.978
90
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:降压,反激,电压 - 启动:9 V
Infineon(英飞凌)
DIP-8
¥15.9624
0
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,电压 - 启动:18 V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥1.74
0
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:12V ~ 28V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
PDIP-8-C
¥6.9972
80
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:78%
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SIP-7
¥16.5522
0
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:78%
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SO-7
¥2.9302
100
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:60%
TI(德州仪器)
SOIC-7
¥7.3186
98
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:21 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 35V
OB(昂宝)
SOT-23-6
¥1.0413
48
工作电压:9V~22V,特性:过热保护(OTP);恒流模式(CC);短路保护(SCP);恒压模式(CV);欠压保护(UVP);过压保护(OVP),工作温度:-20℃~+85℃,工作模式:PFM 调制;PWM 调制
ST(意法半导体)
SO-16
¥12.32
10
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:半桥,电压 - 启动:10.7 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8V ~ 16.6V
ADI(亚德诺)
TSSOP-16-EP
¥18.12
10
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,输出数:1
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SMD-7P
¥4.74
475
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
停产
DIODES(美台)
SO-7
¥1.13
35
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,电压 - 启动:15.5 V
TI(德州仪器)
SOIC-16
¥29.8667
0
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:升压,反激,正激转换器,输出数:2
Infineon(英飞凌)
DIP-7
¥3.9
4913
是否隔离:隔离,工作电压:10.5V~25V,开关频率:65kHz,最大占空比:75%
MICRONE(南京微盟)
DIP-7
¥1.04
5957
工作电压:10V~30V,开关频率:120kHz,耗散功率(Pd):1.7W,晶体管耐压:650V
OB(昂宝)
DIP-7
¥1.1
3847
ROHM(罗姆)
DIP-7K
¥4.4824
2097
输出配置:正,拓扑:反激,输出数:1,电压 - 输入(最小值):8.9V,电压 - 输入(最大值):26V
silergy(矽力杰)
SO-8
¥3.39
0
TI(德州仪器)
SOIC-7
¥4.6816
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:21 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 35V
RENESAS(瑞萨)
SOT-23-5
¥1.27544
0
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥3.64
0
Infineon(英飞凌)
DIP-7
¥3.91
0
Infineon(英飞凌)
DSO-12
¥3.91
0
Infineon(英飞凌)
DIP-7
¥5.59
0
Infineon(英飞凌)
DIP-7
¥8.35
0
Infineon(英飞凌)
DSO-12
¥6.4
0
Infineon(英飞凌)
DIP-7
¥4.63
7
Infineon(英飞凌)
DSO-12
¥5.59
0
Infineon(英飞凌)
BSOP-12-EP-300mil
¥2.67
0
DIODES(美台)
SOT-23-6
¥0.083
0
OB(昂宝)
SOT-23-6
¥1.54
3000
Infineon(英飞凌)
DIP-7
¥5.36
0
SGMICRO(圣邦微)
TDFN-6L(2x2)
¥0.8235
6000
MICROCHIP(美国微芯)
QFN-28-EP(5x5)
¥54.1156
40
输出类型:PWM 信号,功能:升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,Cuk,反激,SEPIC,输出数:1
停产
onsemi(安森美)
TO-220F
¥15.49
18
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V
onsemi(安森美)
PDIP-8
¥9.4217
13
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 启动:8.4 V
停产
onsemi(安森美)
PDIP-7
¥2.617
48
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12.8 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):7.6V ~ 16V
onsemi(安森美)
SOIC-9-150mil
¥4.02
980
输出隔离:隔离,内部开关:是,拓扑:反激,电压 - 启动:17 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 28V
ADI(亚德诺)
QFN-58-EP(5x9)
¥16.87
0
输出类型:PWM 信号,功能:降压,输出配置:正,拓扑:降压,输出数:4
ADI(亚德诺)
TSOT-23-8
¥8.1733
0
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:升压,反激,SEPIC,输出数:1
ADI(亚德诺)
TQFN-36-EP(5x6)
¥18.2
0
输出类型:PWM 信号,功能:降压,输出配置:正,拓扑:降压,输出数:2