咨询/建议
电容：22 µF，容差：±10%，电压 - 额定：35 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：700 毫欧
电容：330 µF，容差：±20%，电压 - 额定：4 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：25 毫欧 @ 100kHz
电容：2.2 µF，容差：±20%，电压 - 额定：50 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：300 毫欧 @ 100kHz
容值：680uF，精度：±20%，额定电压：6.3V，等效串联电阻(ESR)：100mΩ@100kHz
电容：100 µF，容差：±10%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，工作温度：-55°C ~ 125°C
电容：100 µF，容差：±20%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：125 毫欧
电容：330 µF，容差：±10%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：100 毫欧
电容：100 µF，容差：±10%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：100 毫欧
电容：330 µF，容差：±20%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：40 毫欧 @ 100kHz
电容：680 µF，容差：±20%，电压 - 额定：2.5 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：5 毫欧 @ 100kHz
电容：330 µF，容差：±20%，电压 - 额定：2.5 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：15 毫欧 @ 100kHz
电容：100 µF，容差：±10%，电压 - 额定：20 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：80 毫欧
电容：100 µF，容差：±20%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：18 毫欧 @ 100kHz
电容：47 µF，容差：±20%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：120 毫欧
电容：220 µF，容差：±20%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：500 毫欧
电容：100 µF，容差：±20%，电压 - 额定：20 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：85 毫欧
电容：100 µF，容差：±10%，电压 - 额定：20 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：500 毫欧
电容：3.3 µF，容差：±10%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：3.5 欧姆
电容：22 µF，容差：±20%，电压 - 额定：35 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：275 毫欧
电容：47 µF，容差：±10%，电压 - 额定：35 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：500 毫欧
电容：10 µF，容差：±10%，电压 - 额定：25 V，类型：保形涂层，工作温度：-55°C ~ 125°C
电容：470 µF，容差：±10%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：30 毫欧
电容：47 µF，容差：±10%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：250 毫欧
电容：68 µF，容差：±10%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：125 毫欧
电容：220 µF，容差：±20%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：35 毫欧 @ 100kHz
电容：47 µF，容差：±10%，电压 - 额定：35 V，类型：保形涂层，工作温度：-55°C ~ 125°C
电容：47 µF，容差：±10%，电压 - 额定：4 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：3 欧姆
电容：1 µF，容差：±20%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：7.6 欧姆
电容：4.7 µF，容差：±20%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：1.5 欧姆
容值：22uF，精度：±10%，额定电压：10V，等效串联电阻(ESR)：4.5Ω@100kHz
容值：47uF，精度：±10%，额定电压：6.3V，等效串联电阻(ESR)：4Ω@100kHz
容值：22uF，精度：±20%，额定电压：10V，等效串联电阻(ESR)：4Ω@100kHz
容值：6.8uF，精度：±10%，额定电压：16V，工作温度：-55℃~+125℃
容值：3.3uF，精度：±10%，额定电压：16V，等效串联电阻(ESR)：5Ω@100kHz
容值：470nF，精度：±10%，额定电压：35V，等效串联电阻(ESR)：14Ω@100kHz
容值：33uF，精度：±20%，额定电压：16V，等效串联电阻(ESR)：2Ω@100kHz
容值：10uF，精度：±10%，额定电压：16V，等效串联电阻(ESR)：7Ω@100kHz
电容：0.1 µF，容差：±10%，电压 - 额定：35 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：20 欧姆
电容：68 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：200 毫欧
容值：10uF，精度：±10%，额定电压：16V，漏电流：1.6uA@25℃,5min
电容：1 µF，容差：±20%，电压 - 额定：35 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：7.5 欧姆
电容：33 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：1.9 欧姆
容值：47uF，精度：±20%，额定电压：10V，等效串联电阻(ESR)：650mΩ@100kHz
容值：22uF，精度：±20%，额定电压：16V，等效串联电阻(ESR)：1.5Ω@100kHz
容值：47uF，精度：±10%，额定电压：6.3V，等效串联电阻(ESR)：3Ω@100kHz
容值：15uF，精度：±10%，额定电压：25V，工作温度：-55℃~+125℃
容值：220uF，精度：±10%，额定电压：4V，工作温度：-55℃~+125℃
电容：47 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：600 毫欧