咨询/建议
电容：68 µF，容差：±10%，电压 - 额定：20 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：150 毫欧
电容：10 µF，容差：±20%，电压 - 额定：35 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：120 毫欧 @ 100kHz
电容：100 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：700 毫欧
电容：220 µF，容差：±10%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：100 毫欧
电容：47 µF，容差：±20%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：35 毫欧 @ 100kHz
电容：220 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：100 毫欧
电容：100 µF，容差：±10%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：100 毫欧
电容：1000 µF，容差：±20%，电压 - 额定：2.5 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：15 毫欧 @ 100kHz
电容：1000 µF，容差：±10%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：600 毫欧
容值：1uF，精度：±10%，额定电压：16V，等效串联电阻(ESR)：8Ω@100kHz
容值：47uF，精度：±10%，额定电压：6.3V，等效串联电阻(ESR)：3.5Ω@100kHz
容值：2.2uF，精度：±10%，额定电压：25V，工作温度：-55℃~+125℃
容值：10uF，精度：±20%，额定电压：10V，等效串联电阻(ESR)：4Ω@100kHz
容值：680nF，精度：±10%，额定电压：35V，漏电流：500nA@25°C,5min
电容：10 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：3.8 欧姆
电容：1 µF，容差：±20%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：12 欧姆
电容：6.8 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：4 欧姆
容值：10uF，精度：±10%，额定电压：10V，等效串联电阻(ESR)：800mΩ@100kHz
容值：10uF，精度：±10%，额定电压：16V，等效串联电阻(ESR)：800mΩ@100kHz
容值：10uF，精度：±10%，额定电压：16V，等效串联电阻(ESR)：2.8Ω@100kHz
电容：4.7 µF，容差：±20%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：5 欧姆
电容：22 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：400 毫欧
电容：4.7 µF，容差：±20%，电压 - 额定：20 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：3 欧姆
电容：15 µF，容差：±20%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：100 毫欧 @ 100kHz
电容：10 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：800 毫欧
电容：100 µF，容差：±20%，电压 - 额定：4 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：35 毫欧 @ 100kHz
容值：220uF，精度：±20%，额定电压：6.3V，等效串联电阻(ESR)：700mΩ@100kHz
电容：47 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：1.2 欧姆
电容：100 µF，容差：±20%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：18 毫欧 @ 100kHz
电容：6.8 µF，容差：±10%，电压 - 额定：35 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：350 毫欧
电容：33 µF，容差：±10%，电压 - 额定：35 V，类型：模制，工作温度：-55°C ~ 125°C
电容：150 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：100 毫欧
电容：470 µF，容差：±20%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：18 毫欧 @ 100kHz
电容：22 µF，容差：±10%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：275 毫欧
电容：4.7 µF，容差：±20%，电压 - 额定：50 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：1.4 欧姆
电容：330 µF，容差：±20%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：25 毫欧 @ 100kHz
电容：10 µF，容差：±20%，电压 - 额定：35 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：200 毫欧 @ 100kHz
电容：47 µF，容差：±20%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：200 毫欧 @ 100kHz
电容：100 µF，容差：±10%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：150 毫欧
电容：10 µF，容差：±20%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：100 毫欧 @ 100kHz
电容：470 µF，容差：±20%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：500 毫欧
电容：68 µF，容差：±10%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：900 毫欧
电容：47 µF，容差：±10%，电压 - 额定：35 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：300 毫欧
电容：68 µF，容差：±10%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：200 毫欧